Fernando Agustin Ponce

Formado com bacharelado em Física - Universidad Nacional de Ingeniería (1971), Mestrado em Física - Universidade de Maryland (1975), e doutorado em Ciência dos Materiais - Stanford University (1981). Ele foi um research scientist nos Laboratórios da Hewlett-Packard (1980-1984) e no Xerox Palo Alto Research Center (1984-1999), em Palo Alto, Califórnia. Desde 1999, ele é professor titular da Universidade Estadual do Arizona (Arizona State University, ASU), em Tempe, Arizona; e é professor visitante da Pontifícia Universidade Católica do Rio de Janeiro, no Brasil. Sua pesquisa centrou-se na física de semicondutores, com ênfase em interfaces e defeitos estruturais. Especificamente, ele pesquisou compostos II-VI para aplicações fotovoltaicas (final dos anos 1970), defeitos microestruturais em silício para microeletrônica e AlGaAs para lasers infravermelhos (início dos 1980), InAlGaP para lasers vermelhos (final dos 1980), e InGaN para LEDs e diodos de laser visíveis (durante os 1990). Suas atividades de pesquisa na ASU (desde 1999) se concentram sobre as propriedades em nanoescala de semicondutores wide-gap (GaN, InGaN, AlGaN) para aplicações em dispositivos optoeletrônicos no rango visível e ultraviolet, e para celulas fotovoltaicas. Sua equipe de pesquisa em ASU utiliza o estado da arte das ferramentas e técnicas para correlacionar o arranjo atômico (usando, microscopia eletrônica de transmissão com resolução atômica e aberração corrigida) com as propriedades eletrônicas e ópticas com medição á resolução nanométrica (usando holografia de elétrons no TEM e cathodoluminescence no MEV). Ele tem acima de 230 publicações e acima de 8.000 citações, com um índice h maior de 42. Ele presidiu muitos importantes eventos internacionais em ciência dos materiais e física de semicondutores, como a Conferência Latino-Americana de Física de Superfícies (SLAFS-6, 1990), o "First Conference on Nitride Semiconductors" em Boston em 1995; o "1999 Fall MRS Meeting", e a Conferência Internacional sobre Física de Semicondutores (ICPS-27, 2004). No Rio de Janeiro, ele colabora com colegas da PUC-Rio sobre as propriedades em nanoescala resultantes de nanoindentação, e no desenvolvimento de células solares de banda intermediária.

Graduated with BS in Physics - Universidad Nacional de Ingeniería (1971), MSc in Physics - University of Maryland (1975), and Ph.D. in Materials Science - Stanford University (1981). He has been a research scientist at the Hewlett-Packard Laboratories (1980-1984) and at the Xerox Palo Alto Research Center (1984-1999) in Palo Alto, California. He is currently a full professor at Arizona State University (ASU), in Tempe, Arizona; and a visiting professor at the Catholic University of Rio de Janeiro, Brazil. His research has focused on semiconductor physics, with emphasis on interfaces and structural defects. Specifically, he researched II-VI compounds for photovoltaic applications (late 1970's), microstructural defects in silicon for microelectronics and AlGaAs for infrared lasers (early 1980's), InAlGaP for red lasers (late 1980's), and InGaN for visible LEDs and laser diodes (1990's). His research activities at ASU (since 1999) has focused on the nanoscale properties of wide-gap semiconductors (GaN, InGaN, AlGaN) for visible and ultraviolet optoelectronic and for photovoltaic applications. His research team at ASU uses state of the art tools and techniques to correlate the atomic arrangement (using aberration-corrected, atomic-resolution transmission electron microscopy) with the electronic and optical properties measured with nanometer resolution (using electron holography in the TEM and cathodoluminescence in the SEM). He has more than 230 publications and more than 8000 citations, with an h-index above 42. He has chaired many important international conferences in materials science and semiconductor physics, such as the 1990 Latin American Conference on Surface Physics (SLAFS-6), the First Conference in Nitride Semiconductors in Boston in 1995, the 1999 MRS Fall Meeting, and the 2004 International Conference on Physics of Semiconductors (ICPS-27). In Rio de Janeiro, he collaborates with colleagues at PUC-Rio on the nanoscale properties resulting from nanoindentation, and on the development of intermediate band solar cells.