Tamiris Grossl Bade

Tamiris Grossl Bade recebeu o título de engenheira eletricista em 2016 em duplo diploma pela Universidade Federal de Santa Catarina (UFSC), no Brasil, e o Instituto Grenoble INP, na França. Recebeu o título de doutora em engenharia elétrica em 2019 pela Universidade Grenoble Alpes (UGA), na França, em cotutela com Universidade Federal de Santa Catarina (UFSC) na área de compatibilidade eletromagnética. Foi professora substituta por dois anos na Universidade Grenoble Alpes (UGA), ministrando aulas de graduação e de ensino técnico superior e desenvolvendo pesquisa sobre a modelagem em frequências médias de cabos de potência. Atualmente é pós-doutoranda no Instituto Nacional De Pesquisa Aplicada (INSA) de Lyon, na França. Trabalha com semicondutors de banda proibida larga (wide-band gap), estudando a robustez de transistores de alta mobilidade de elétrons (HEMT) feitos em nitreto de gálio (GaN).

Tamiris Grossl Bade received the title of electrical engineer in 2016 in double degree from the Federal University of Santa Catarina (UFSC) in Brazil and the Grenoble INP Institute in France. She received her PhD degree in electrical engineering in 2019 from the University Grenoble Alpes (UGA), in France, in cotutelle with the Federal University of Santa Catarina (UFSC) in the area of electromagnetic compatibility. She was a substitute professor for two years at the University Grenoble Alpes (UGA), teaching undergraduate and technical higher education classes and developing research on modeling at medium frequencies of power cables. She is currently a post-doctoral fellow at the National Institute of Applied Research (INSA) in Lyon, France. She works with wide-band gap semiconductors, studying the robustness of high electron mobility transistors (HEMT) made of gallium nitride (GaN).