Graduated in bachelor of Physics from the University of Havana, master's degree in Materials Science and Technology by the Institute of Materials Science and Technology of the University of Havana, Doctorate in Nanoscience and Advanced Materials from the Federal University of ABC and post-doctorate in Electrical Engineering from University of Campina. It has experience in the area of solid state physics, physics of semiconductors and physics of condensed matter, with researches on photovoltaic cells based on ultrathin layers of II-VI semiconductor group and thermoelectric phenomena with Seebeck effect and Peltier effect cells, based on manganese and cobalt perovskites doped with rare earths (lanthanum and samarium). Currently it serves on the area of micro/nanoelectronics, and semiconductor components with emphasis on structural, electrical and transport properties in MOS structures containing Ge and SiGe nanoparticles for applications in discrete floating gate non-volatile memory devices, and in MOS technology. Also it has experience with deposition (and/or growth) techniques of thin films and nanostructures, as well as microfabrication of electrical devices. I currently work in the field of photonics.
Possui Bacharel em Física pela Universidade da Havana com mestrado em Ciência e Tecnologia de Materiais pelo Instituto de Ciência e Tecnologia de Materiais da Universidade da Havana, Doutorado em Nanociência e Materiais Avançados pela Universidade Federal do ABC (UFABC) e pós-doutorados pela FEEC-Unicamp, desenvolvido no CCSNano e pelo Centro de tecnologia da Informação Renato Archer na Divisão de Montagem, Empacotamento e Integração de Sistemas, e na Divisão de Nano, Microssistemas e Materiais. Tem experiência na área de física do estado sólido, física dos semicondutores e física da matéria condensada, com pesquisas em células fotovoltaicas baseadas em camadas ultrafinas de semicondutores do grupo II-VI e em fenômenos termoelétricos com células de efeito Seebeck e de efeito Peltier, baseadas em perovskitas de manganês e cobalto dopadas com terras raras (lantânio e Samário). Amplos conhecimentos na área de micro/nanoeletrônica e componentes semicondutores com ênfase em propriedades estruturais, elétricas e de transporte em estruturas MOS contendo nanopartículas de Ge e SiGe para aplicações em dispositivos de memórias não voláteis de porta flutuante discreta, Memristors e tecnologia MOS; na área de empacotamento eletrônico dentro do contexto de desenvolvimento e caracterização de camadas depositadas de filmes finos para aplicação em dispositivos MCM-D (Multichip Modules), e na área de fotônica em atividades de prototipagem de dispositivos fotônicos. Possui uma extensa experiência em técnicas de deposição (LPCVD, ECR-CVD, PECVD, Sputtering, deposição eletrolítica, deposição química, etc.) e caracterização (SEM, Raman, XDR, AFM, elipsometria, 4 pontas, perfilometría, etc.) tanto de filmes finos quanto de nanoestruturas. Também na área de microfabricação de dispositivos eletrônicos e fotônicos, com vastos conhecimentos de litografia incluindo a operação das fotoalinhadoras MJB3 e MicroWriter ML3 (Maskless/escrita direta) e litografia por feixe de elétrons utilizando um Microscópio Eletrônico SEM-FEG Mira 3 XMU ? Tescan, processos de fabricação por lift-off e corrosão, desenvolvimentos de layouts com os softwares CleWin, Klayout e DrawBeam (SEM-FEG Mira 3 XMU ? Tescan), utilização de fotoresistes, BCB, PMMA e SU8 para litografias tanto de campo claro quanto de campo escuro, bem como a utilização de diferentes tipos de substratos (Silício, SOI, Alumina, Vidro, SiC, etc.) e atividades de sala limpa em geral. Também possui uma ampla experiência na área de docência.
