Meirielle Marques de Góis

Graduated in Physics (Licentiate) (2013) and Master in Physics (2016) from the State University of Rio Grande do Norte - UERN. PhD in Physics (2020) by the Graduate Center in Physics - NPGFI of the Federal University of Sergipe - UFS. Post-doctorate (2022) by UERN, PDJ-CNPq modality. He has experience in the line of research on Magnetic Materials and Magnetic Properties working at the Center for Synthesis and Analysis of Advanced Materials ? CSAMA (UERN), with emphasis on the following topics: chemical synthesis, structural, magnetic and electronic transport characterization of magnetic nano/microparticles, such as: La0,7Ba0,3-xSrxMnO3 manganites (0.0 ≤ x ≤ 0.3), iron silenite (Bi25FeO40) and manganese ferrite (MnFe2O4) composites obtained directly from in natura minerals. As well as knowledge in thin film structures with emphasis on non-stoichiometric cobalt titanate compounds, addressing their electrical behavior of resistive switching for applications in the area of memristor devices (resistive memories).

Possui graduação em Física (Licenciatura) (2013) e Mestrado em Física (2016) pela Universidade do Estado do Rio Grande do Norte - UERN. Doutorado em Física (2020) pelo Núcleo de Pós-Graduação em Física - NPGFI da Universidade Federal de Sergipe - UFS. Pós-doutorado (2022) pela UERN, modalidade PDJ-CNPq. Tem experiência na linha de pesquisa Materiais Magnéticos e Propriedades Magnéticas atuante no Centro de Síntese e Análises de Materiais Avançados ? CSAMA (UERN), com ênfase nos seguintes temas: síntese química, caracterização estrutural, magnética e de transporte eletrônico de nano/micropartículas magnéticas, como: manganitas tipo La0,7Ba0,3-xSrxMnO3 (0,0 ≤ x ≤ 0,3), compósitos de silenita de ferro (Bi25FeO40) e ferrita de manganês (MnFe2O4) obtidos diretamente por minerais in natura. Assim como conhecimentos em estruturas de filmes finos com ênfase em compostos de titanato de cobalto não-estequiométricos, abordando seus comportamentos elétricos de comutação resistiva para aplicações na área de dispositivos memristor (memórias resistivas).