CARACTERIZAÇÃO ELÉTRICA DE OXINITRETOS DE SILÍCIO ULTRAFINOS PARA PORTA PMOS OBTIDOS POR IMPLANTAÇÃO IÔNICA DE NITROGÊNIO NA ESTRUTURA Si-poli/SiO2/Si
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produzido em
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- Electrical Engineering Programa de Pós-Graduação
tipo
- master thesis
autores
data de publicação
- 2008-01-01