Regime de Condução Difusiva na Transição Metal-Isolante em GaAs com Dopagem Planar de Si.
Documento
- Visão geral
- Pesquisas
- Identidade
- Ver todos
Visão geral
orientado por
produzido em
- https://brcris.ibict.br/individual/cour_7f300d01-9bac-4616-bf73-5c8afb28d87f
- Physics Graduate Program at UFMG Programa de Pós-Graduação
tipo
- master thesis
autores
data de publicação
- 1998-01-01
prêmio patrocinado pela
- UNIVERSIDADE ESTADUAL DE MONTES CLAROS Organização