Heteroestruturas de semicondutores IV-VI sobre Si obtidas por MBE para a aplicação em detectores de infravermelho.
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Visão geral
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Pesquisas
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palavras-chave
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Compostos Semicondutores IV-VI
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Crescimento de Cristais semicondutores
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Crescimento epitaxial
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Detectores Fotovoltaicos
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Detectores de Infravermelho
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Detetores fotovoltaicos
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Heterojunções de Si-PbTe
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Ligas semicondutoras
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MBE growth
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Molecular Beam Epitaxy
Identidade
identificador BrCris
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78fab7e27d38d9fad8fcd42551ea91a6
identificador Capes
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200017033011010005P0-Publication
identificador Oasisbr
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