Auto-compensação de silício em arseneto de gálio e alumínio
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Visão geral
produzido em
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Pesquisas
áreas de investigação
palavras-chave
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AlGaAs
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DX
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centros capturadores de elétrons
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dopagem
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epitaxia de feixe molecular
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semicondutor
Identidade
identificador BrCris
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fbda46b15f56e53a1375cae1193174f3