Contraste entre propriedades optoeletrônicas em estruturas de tunelamento ressonante n-i-n baseadas em GaAs
Documento
- Visão geral
- Pesquisas
- Identidade
- Ver todos
Visão geral
orientado por
produzido em
- https://brcris.ibict.br/individual/cour_d2dc491a-576b-4df1-858d-7b156fbc1e7b
- Graduate Program in Physics Programa de Pós-Graduação
tipo
- doctoral thesis
autores
data de publicação
- 2019-01-01