Estudo de dopagem em GaAs para o desenvolvimento de diodos túnel GaAs:C/GaAs:Si para aplicação em células solares de múltipla junção
Documento
- Visão geral
- Pesquisas
- Identidade
- Ver todos
Visão geral
orientado por
produzido em
- https://brcris.ibict.br/individual/cour_62886fb7-1b78-4f84-be99-7a195c8f3b64
- Physics Programa de Pós-Graduação
tipo
- master thesis
autores
data de publicação
- 2014-01-01
prêmio patrocinado pela
- Universidade Federal do do Rio de Janeiro Organização