Ionizing radiation hardness tests of GaN HEMTs for harsh environments
Documento
-
- Visão geral
-
- Pesquisas
-
- Identidade
-
- Informação adicional documento
-
- Outro
-
- Ver todos
-
Visão geral
tipo
data de publicação
publicada em
Pesquisas
áreas de investigação
palavras-chave
-
Efeitos da Radiação em Dispositivos Eletrônicos
-
GaN
-
HEMT
-
High-electron-mobility transistor
-
Power Transistor
-
Total Ionization Dose (TID)
-
Total ionizing dose
Identidade
identificador BrCris
-
21bba8aeed47d721494649df3aab29d1
Outro