Efeitos da Camada de Acumulação e Interfaces em Heterojunções e Poços Quânticos GaAs/Al(x)Ga(1-x)As Não-Abruptos Dopados
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Visão geral
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Pesquisas
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Heterojunções
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III-IV Semicondutores
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Interfaces Não-Abruptas
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Poços Quânticos
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Propriedades eletrônicas
Identidade
identificador BrCris
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115831c4167b2ef250c99992508cbd15