Neutron-Induced Radiation Effects in UMOS Transistor Documento

• doi:10.1088/1742-6596/2340/1/012046
• http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2340/1/012046
• https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1742-6596/2340/1/012046
• https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1742-6596/2340/1/012046][doi:10.1088/1742-6596/2340/1/012046

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Visão geral

tipo

• journal article

autores

• Alexis Cristiano Vilas Bôas
• Claudio Antonio Federico
• Marcilei Aparecida Guazzelli da Silveira
• Nemitala Added
• Nilberto Heder Medina
• Odair Lelis Gonçalez
• Saulo Gabriel Nascimento Alberton
• vitor angelo paulino de aguiar

data de publicação

• 2022-01-01

publicada em

• JOURNAL OF PHYSICS. CONFERENCE SERIES (ONLINE) 

Pesquisas

áreas de investigação

• EFEITOS DA RADIAÇÃO IONIZANTE EM COMPONENTES E SISTEMAS ELETRÔNICOS
• ENGENHARIAS
• Física
• Microeletrônica
• Métodos Experimentais e Instrumentação para Partículas Elementares e Física Nuclear

palavras-chave

• Efeitos da Radiação em Dispositivos Eletrônicos
• Neutron
• SEE
• Single Event Effect - SEE
• Single event effect
• Transistor de potência
• UMOS
• UMOS transistor
• neutron
• neutrons
• nêutrons energéticos
• radiation effects
• radiation effects on material

Identidade

identificador BrCris

• b2f008b0d83295911737ce4c00f92428

Informação adicional documento

série

• 1

Página Inicial

• 012046

página final

• 012046-6

Volume

• 2340

Outro

tem linguagem

• Inglês
• Português