Espaço de parâmetros de alta resolução segundo o modelo de dois vales para o semicondutor GaAs semi-isolante.
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Visão geral
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tipo
data de publicação
Pesquisas
áreas de investigação
palavras-chave
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2D parameter space
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GaAs semi-isolante
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NNDC
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Two-Valley Model
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field enhanced trapped
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impact ionization
Identidade
identificador BrCris
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f7006b07fc413cdf4dc20377475413af
identificador Capes
identificador Oasisbr
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UFMG_d7ab2c78e9366ae15a3d7a09b3b2bf03