Crescimento epitaxial de InxGa1-xP sobre GaAs pela técnica de Epitaxia por Feixe Químico
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Visão geral
produzido em
- https://brcris.ibict.br/individual/cour_d8023f8c-bd6b-4341-97ff-65eaf96f9338
- PHYSICS Programa de Pós-Graduação
tipo
- master thesis
autores
data de publicação
- 1997-01-01
prêmio patrocinado pela
- Instituto de Física Gleb Wataghin Organização