Influência do Crescimento Epitaxial Seletivo (SEG) em transistores SOI de porta tripla de canal N tensionado.
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Canal Tensionado
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Caracterização Elétrica
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Dispositivos eletrônicos
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Microeletrônica
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SOI
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SOI MOSFETs
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Selective Epitaxial Growth SEG
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Strained Silicon
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Transistores
Identidade
identificador BrCris
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9b0c6574e3495dc4fa833b994aafae35
identificador Oasisbr
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USP_661f34324b5811374933f7d9169d8d05