Nosso grupo no IPEN-CNEN/SP tem estudado problemas relacionados com os mecanismos intrínsecos de detectores de radiação, nomeadamente os detectores gasosos e semicondutores, visando sua utilização nos problemas de Física Nuclear Pura (medidas de parâmetros de transporte de elétrons em gases) e Aplicada (dosimetria gama e de elétrons, espectrometria de radiações). Neste contexto, tanto os detectores de catodo resistivo operando em regime proporcional, quanto os fotodiodos de Si (em regime de impulsos individuais ou de corrente direta) têm merecido atenção especial considerando as vantagens de sua utilização decorrentes de seu baixo custo e elevada resolução espacial e em energia. Recentemente, colaboração estabelecida com grupos da Univ. de Helsinki e da Univ. de Hamburgo, especializados na fabricação de diodos de Si resistentes a danos de radiação para serem empregados nos aceleradores do CERN, possibilitou estendermos a aplicação de diodos de Si na dosimetria de altas doses. Nos últimos dez anos, devido a uma frutífera colaboração estabelecida com o Laboratório de Física Experimental de Partículas, do Depto. de Física da Universidade de Coimbra, nossa atuação ampliou-se para o estudo das emissões luminosas de detectores gasosos de microestrutura, usados em problemas de Física Nuclear (na formação de imagens e altas taxas de contagem) e de Altas Energias (na detecção de radiação de Síncrotron), os quais representam um significativo progresso no campo de detectores gasosos. Outra vertente desta colaboração é o estudo de características temporais de câmaras de placas paralelas resistivas e do regime transitório de operação de detectores resistivos de geometria cilíndrica. Os resultados de nossas pesquisas têm sido objeto de publicações em revistas internacionais, congressos internacionais, bem como desenvolvimento de protótipos empregados por outros grupos de pesquisa com os quais colaboramos, além do aprimoramento de técnicas de construção de detectores de radiação.
