O objetivo principal do trabalho do grupo é o estudo das propriedades eletrônicas e óticas de estruturas semicondutoras, através de simulações computacionais. Para tanto o grupo utiliza-se de programas desenvolvidos por seus pesquisadores e também de métodos consagrados pela comunidade.Os principais projetos desenvolvidos pelo grupo baseiam-se em modelos teóricos que utilizam o método k.p autoconsistente generalizado para diferentes materiais, implementados por seus membros.Os sistemas estudados dentro de suas linhas de pesquisa são: a) heteroestruturas e outros sistemas de baixa-dimensionalidade baseados em semicondutores do grupo III-V (GaAs, AlAs, InAs e ligas na fase cúbica), III-N (GaN, AlN, InN e ligas nas fases cúbica e hexagonal) com diferentes simetrias e dopados tipo p e tipo n; b) heteroestruturas semicondutoras compostas por alguns dos materiais citados acima e ligas GaAsN; c) heteroestruturas semicondutoras compostas por alguns dos materiais citados acima e ligas de materiais magnéticos diluídos (tais como GaMnAs);d) materiais baseados em Si; e) poços delta-doping em diversos materiais.Efeitos presentes nestes sistemas são estudados. Por exemplo, efeitos de muitos corpos tais como potencial de troca-e-correlação, efeitos de tensão causados pelo descasamento de parâmetros de rede, etc.Entre os resultados obtidos encontram-se espectros teóricos de fotoluminescência e absorção, densidades eletrônicas e potenciais autoconsistentes, funções de onda e estruturas de bandas dos diversos sistemas estudados. Estes resultados vem sendo usados em colaborações com grupos experimentais na previsão de propriedades de sistemas semicondutores e na interpretação de resultados obtidos a partir de suas amostras.Os principais resultados obtidos podem ser encontrados em artigos publicados pelos membros do grupo nas principais revistas científicas.
