Possui graduação (1990), mestrado (1993) e doutorado (1997) em Física pela Universidade Federal do Rio Grande do Sul. Fez estágios pós-doutorais no Lawrence Berkeley National Laboratory (LBNL), nos EUA, (1997 - 1999), no Laboratório Nacional de Luz Sincrotron (LNLS) (2000 - 2002) e no Departamento de Física da UFPE (2009). Em seu doutorado trabalhou com recristalização assistida por feixe de íons do semicondutor Si dopado com Fe para formar fases meta-estáveis de FeSi2. No LBNL, EUA, trabalhou na dopagem de LT-GaAs por implantação iônica para fins de fotoluminescência e capacitou-se em análise de semicondutores por microscopia eletrônica de transmissão (TEM). No LBNL trabalhou com estruturas de pontos e poços quânticos de semicondutores III-V, analisando-as por TEM. Na UFPE trabalhou com random lasers. Ingressou como prof. adjunto e participante do grupo de microeletrônica do Instituto de Física - UFRGS em julho de 2003. Atualmente é Prof. Titular. Iniciou e coordena duas linhas de pesquisa no grupo: síntese de SiC por implantação iônica de carbono em silício, e síntese de GaN por implantação iônica de nitrogênio em arseneto de gálio. É especialista em análises de semicondutores por técnicas de feixe de íons e TEM, e conhecedor de técnicas de crescimento epitaxial de semicondutores, de caracterização ótica e elétricas.
bachelor's at Bacharelado em Física from Universidade Federal do Rio Grande do Sul (1990), master's at Physic from Universidade Federal do Rio Grande do Sul (1993) and doctorate at Physic from Universidade Federal do Rio Grande do Sul (1997). Has experience in Physic, focusing on Optical and Espectrosc. Prop. of the Condes. Mat., acting on the following subjects: microscopia eletrônica de transmissão, implantação iônica, pontos quânticos, fotoluminescência and semicondutores.