Síntese por feixe de íons de GaN-layer sobre GaAs Documento

membro de

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orientado por

• Rogerio Luis Maltez

produzido em

• https://brcris.ibict.br/individual/cour_1204a6de-401e-4f41-a1b7-4231cb65b12b 
• PHYSICS GRADUATE PROGRAM  Programa de Pós-Graduação

tipo

• doctoral thesis

autores

• Horácio Coelho Junior

data de publicação

• 2018-01-01

prêmio patrocinado pela

• Universidade Federal de Rio Grande Do Sul  Organização

áreas de investigação

• Física da Matéria Condensada
• Materiais e Componentes Semicondutores

palavras-chave

• Gallium Nitride
• Ion Beam Synthesis
• Ion Implantation
• Photoluminescence
• Rutherford Backscattering Spectrometry
• Transmission Electron Microscopy

identificador BrCris

• b7f1a295847f10a1ed917c5c3129a2a9

identificador Capes

• 7490233-Publication

identificador Oasisbr

• URGS_c701dd4712dc1bae4bcb3e2e54937114