INFLUÊNCIA DE PARÂMETROS TECNOLÓGICOS E GEOMÉTRICOS SOBRE O DESEMPENHO DE TRANSISTORES SOI DE CANAL GRADUAL
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Visão geral
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Pesquisas
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Associação Série Assimétrica SOI nMOSFET
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Caracterização elétrica
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Comportamento Analógico
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Graded-Channel SOI MOSFET
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Microeletrônica
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Simulação
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Tecnologia SOI
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Transistor SOI nMOSFET de Canal Gradual
Identidade
identificador BrCris
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94f7dacd5235dff420f471327ef65bae
identificador Capes
identificador Oasisbr
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FEI_b5375175c8fab86f4586dbaa9b05cd0e