Materiais e Componentes Semicondutores Conceito

área de pesquisa

• Avaliação da Distorção Harmônica de Nanofios Transistores Empilhados
• " MODELAÇÃO DAS PROPRIEDADES ELÉTRICAS DE DISPOSITIVOS DE POLÍMEROS CONJUGADOS".
• "Análise de nanoestruturas por espectroscopia de impedância para células fotoeletroquímicas ".
• "Análise dos parâmetros analógicos do dispositivo SOI DTMOS"
• "Avaliação da adsorção de compostos orgânicos por filmes finos metálicos"
• "Caracterização de Propriedades Mecânicas de Materiais Utilizados em Microssistemas Eletromecânicos"
• "Caracterização elétrica de espelhos de corrente baseados em transistores GC SOI MOSFET em função da temperatura"
• "Confecção e caracterização de dosímetros luminescentes de cerâmicas de BaTiO3 nanoestruturadas"
• "Deposição de filmes finos de silício amorfo hidrogenado por sputtering reativo"
• "Desenvolvimento de diodos orgânicos emissores de luz por blade coating"
• "Desenvolvimento de um sensor de pH com base em grafeno"
• "Efeito da tensão mecânica no ruído de baixa frequência de transistores SOI planares e tridimensionais"
• "Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas"
• "Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado"
• "Estudo de transistores avançados de canal tensionado"
• "Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado"
• "Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico"
• "Estudo de transistores UTBOX SOI não auto-alinhados como célula de memória"
• "Estudo dinâmico de memórias 1T-DRAM"
• "Estudo do comportamento da resistência série e do comprimento efetivo de canal em transistores GC SOI NMOSFET"
• "Estudo do ganho de energia elétrica em painéis fotovoltaicos usando rastreamento solar baseado em sistemas embarcados"
• "Estudo do GC SOI nMOSFET e aplicações em amplificadores operacionais de transcondutância"
• "Estudo experimental da migração eletroquímica em soldagem eletrônica Sn/Ag/Cu 'Lead Free'"
• "Estudos de tratamentos superficiais em substratos de óxidos transparentes condutivos para a fabricação de dispositivos poliméricos eletroluminescentes"
• "Estudos sobre um jato de plasma para corrosão de materiais eletrônicos em alto vácuo"
• "Fabricação e caracterização de supercapacitores com eletrodos de silício poroso passivados com grafeno"
• "Fabricação e caracterização experimental de diodos túnel MOS Al/SiOxNy/Si(p) e TiN/SiOxNy/Si(p)"
• "Fabricação, caracterização e modelagem elétrica de células solares MOS para aplicação em energy harvesting"
• "Filmes de óxido de índio dopado com estanho depositados por magnetron sputtering"
• "Obtenção e caracterização experimental de camadas de zeólitos cristalinos com cadeias Zn-Im-Zn (ZIF) para absorção e detecção de CO2"
• "Operação e modelagem de transistores MOS sem junções"
• "Produção de filmes compósitos a partir de tetraetilortossilicato para aplicação em estruturas miniaturizadas e em detecção de VOCs/umidade"
• "PROJETO DE CIRCUITOS INTEGRADOS PARA BALANÇO DE CARGA E REDUÇÃO DA TENSÃO RESIDUAL EM ESTIMULAÇÃO NEURAL"
• "Projeto de um amplificador de potência integrado a 2,4GHz em tecnologia CMOS"
• "Simulação multifísica utilizando método dos elementos finitos auxiliando interativamente a fabricação de moduladores eletro-ópticos em substratos de Bi4Ge3O12"
• "Produção, caracterização morfológica e nitretação de nanotubos de TiO2"
• (Invited) ISFET-Based Sensors
• 2D diamond-like functionalized nanosheets: physical properties and potential applications in alkali metal (Li, Na, K) ion batteries
• 3d Transition Metal Coordination on Monolayer MoS2: A facile doping method to functionalize surfaces
• : Estudo e caracterização de filmes de carbono do tipo diamante (Diamond-like Carbon- DLC) depositados pela técnica de sputtering reativo.
• : Estudo Teórico-Experimental do Efeito Tiristor em estruturas CMOS.
• Low-cost conductive films based on graphite and cellulose acetate as promising electroanalytical platforms
• A 130nm CMOS UHF Satellite Receiver Front-End for the Brazilian Environmental Data Collecting System
• A cadeia produtiva da indústria de semicondutores : um estudo exploratório
• A Capacitor-free Low-dropout Regulator for Low Power System-on-Chip Applications
• A Contribution To The Theoretical And Experimental Study Of Dual Gate Mosfet.
• A current limiter for satellite power protection
• A DFT Study on the Electronic Structure of In-Plane Heterojunctions of Graphene and Hexagonal Boron Nitride Nanoribbons
• A highly sensitive molecular structural probe applied to in situ biosensing of metabolites using PEDOT:PSS
• A influência de Ni e Mn nas propriedades elétricas do sistema CuO.Al2O3
• A novel self-aligned double patterning integrated with Ga+ focused ion beam milling for silicon nanowire definition
• A Simplified Self-Aligned Al-Gate Mos Technology For High Performance Depletion Logic Circuits.
• A study of SnO2 nanowire FET devices: ambipolarity effect induced by UV Light exposure and their use as UV sensors.
• A Utilização de Redes de Bragg na Compensação da Dispersão Cromática em Fibras Ópticas Monomodo.
• A wrinkled ZnO/MCM-41 nanocomposite: hydrothermal synthesis and characterization
• Adhimar Flávio de Oliveira
• Adriana Barboza Stelet
• Adriana Fatima Ferreira dos Santos
• Adriano Vieira de Carvalho
• Alaide Pellegrini Mammana
• Alain André Quivy
• Alan Mendes Marotta
• Albert Nissimoff
• Alberto Yassufumi Natori
• Alcinei Moura Nunes
• Alessandra Araujo Tavares
• Alessandro Camolesi
• Alessandro Ricardo de Oliveira
• ALEX DO NASCIMENTO RIBEIRO
• Alexander Eick
• Alexandre Candido de Paulo
• Alexandre Ichiro Hashimoto
• Alexandre Mantovani Nardes
• Alexandre Moreira Ferreira
• Alexandre Pessoa Peixoto
• Alexandre Sansígolo Lujan
• Alexandre Tavares Lopes
• Alexandro de Moraes Nogueira
• Alexis Cristiano Vilas Bôas
• Alexsander Tressino de Carvalho
• Alexsandro Bobsin
• Alfeu Fissore
• Alfredo Carlos Peterlevitz
• Alguns Aspectos da Construção e Otimização de Células Solares de Silício
• Aline Maria Pascon de Marque
• Alonso Wollmersheiser Perim Sanches
• Aloysio Nogueira Salgado
• Alvaro David Torrez Baptista
• Alvaro Jose Magalhaes Neves
• Amanda Costa Martinez
• Amplificador com Entradas e Saídas Diferenciais Integrado em Tecnologia CMOS.
• Amplificador Operacional em Baixa Tensão e Aplicações
• Amyr Borges Fortes Neto
• An Investigation of the Defects in Ion-Implanted GaAs by the Method of DLTS
• Ana Neilde Rodrigues da Silva
• Ana Rosa da Cruz
• Analise do funcionamento de dispositivos GC SOI MOSFET em altas temperaturas
• Analog characteristics of n-type vertically stacked nanowires
• Analysis of Mobility in Graded-Channel SOI Transistors Aiming at Circuit Simulation
• Analysis of the Electrical Parameters of SOI Junctionless Nanowire Transistors at High Temperatures
• Analytical Model for Low-Frequency Noise in Junctionless Nanowire Transistors
• Anderson Soares dos Santos
• Andre Luis Costa Canella
• Andre Luis Moras Junior
• Andre Mascia Daltrini
• Andrei Alaferdov
• Andres Trinidad Medel de Gante
• Andres Vercik
• Andressa Colvero Schittler
• André da Fontoura Ponchet
• André Luis Silveira Fraga
• André Luiz Perin
• André Rosa Ferreira
• Anelise Fernandes Borcelli Bennett
• Angela Makie Nakazawa
• Angelica Denardi de Barros
• Angelo Eduardo Battistini Marques
• Angélica Souza Cenci
• Anna Paula da Silva Sotero
• Antenas Reconfiguráveis por Dispositivos Semicondutores Fotossensíveis
• Antonio Carlos Seabra
• Antonio Celso Saragossa Ramos
• Antonio Luis Pacheco Rotondaro
• Antonio Luiz de Menezes Osse
• Antonio Pereira do Nascimento Filho
• Análise da Mobilidade em Transistores SOI de Canal Gradual visando à Simulação de Circuitos
• Análise da neuro-otimização em algoritmos globais supervisionados e aplicação na modelagem da dinâmica de lasers semicondutores
• Análise de cobertura e geração de vetores de teste para módulos descritos em Systemc
• Análise de Descasamento nas Características Elétricas de Transistores SOI MOSFET de Canal Gradual
• Análise de Filmes Antirreflexo de Dióxido de Titânio e Nitreto de Silício em Células Solares p+nn+
• Análise de fluxos de solda e o impacto no processo de soldagem de esferas em encapsulamento do tipo BGA
• Análise de gettering e do campo retrodifusor de células solares dopadas com Boro
• Análise de junção Flutuante no campo Retrodifusor de Boro em Células Solares PERT Bifaciais
• Análise de parâmetros 𝜋-híbridos de um MOSFET com encapsulamento TO-220 sob feixes de raios X para diagnóstico médico
• Análise de Processos de Limpeza e Difusão na Fabricação de Células Solares
• Análise do campo elétrico nas proximidades de uma junção tripla : metal - vácuo - dielétrico, através de simulações computacionais das equações de Maxwell
• Análise do desempenho de transistores de filmes finos orgânicos visando a fabricação sobre substratos flexíveis
• ANÁLISE DO FENÔMENO DE RUPTURA POR AVALANCHE EM DIFERENTES CÉLULAS FOTOVOLTAICAS E SUAS ASSOCIAÇÕES
• Análise do Funcionamento do Dispositivo GC SOI MOSFET em Altas Temperaturas
• Análise do Funcionamento do Dispositivo GC SOI MOSFET em Baixas Temperaturas
• Análise do Funcionamento do Dispositivo GC-SOI MOSFETs em Baixa Temperatura
• Análise do Gettering por Alumínio no Processo de Fabricação de Células Solares
• ANÁLISE DO TIPO DE SUBSTRATO NA FABRICAÇÃO DE CÉLULAS SOLARES BIFACIAIS FINAS
• Análise do transporte de portadores de carga em transisotres de efeito de campo em arquitetura planar e desenvolvimento de transistores em arquitetura vertical
• Análise do uso da tecnologia LED aplicada à iluminação pública: Estudo das perspectivas de aplicação da cidade de São Paulo
• Análise dos espaços de parâmetros do circuito de Chua experimental.
• Análise e Modelagem dos Campos da fotomáscara em litografia ultravioleta sub comprimento de onda
• ANÁLISE E PROPOSTA DE APRIMORAMENTO DO MODELO DE UM DIODO PARA MÓDULOS FOTOVOLTAICOS
• Análise Numérica do Transistor Quântico Estube
• ANÁLISE QUANTITATIVA DE FASES ESPINÉLIO DO SISTEMA CuO-AL2O3 COM ADIÇÕES DE MnO E NiO
• Análise teórica de emissores homogêneos (n+) e duplamente difundidos (n+n++) em solares de silício.Implementações ao processo de fabricação.
• Análise, caracterização e simulação de sistemas fotovoltaicos fotoajustáveis
• Aparecido Sirley Nicolett
• Aplicação de estruturas metal-orgânicas: explorando as reações de descoloração e redução de N2
• Aplicação de estruturas PBG em dispositivos planares de microondas - linhas e antenas - em substratos dieletricos e semicondutores : desenvolvimento de tecnologia e caracterização
• Aplicação de Filmes de Siliceto de Titânio e do Escoamento Térmico Rápido de Camadas de PSG na Fabricação de Circuitos Integrados nMOS
• Aplicação de Microscopia de Força Átomica para Análise de Superficie de materiais
• Aplicação de semicondutores em gama espectrometria portátil
• Aplicação de silício poroso em sensores de gás
• Aplicação do método SPLIT-CV para obtenção da mobilidade em nanofios transistores MOS
• Aplicações de Corrosão por Plasma usando reatores RIE e ICP para tecnologia MEMS
• Aplicações de silício poroso em sensores de gás
• Aproveitamento do calor de exaustão por termoeletricidade e cogeração em um motogerador elétrico
• Argilas e Materais Cerâmicos
• Aristides Pavani Filho
• Armando Antonio Maria Laganá
• Artificial Mechano-Receptor
• Artur Vicente Pfeifer Coelho
• Ary Adilson Morales Alvarado
• ASSOCIAÇÃO SÉRIE ASSIMÉTRICA DE TRANSISTORES SOI MOS DE CAMADA DE SILÍCIO E ÓXIDO ENTERRADO ULTRAFINOS (UTBB) PARA APLICAÇÕES ANALÓGICAS DE ALTO DESEMPENHO
• ASSOCIAÇÃO SÉRIE E ANÁLISE DE DESCASAMENTO EM TRANSISTORES SOI MOSFET DE CANAL GRADUAL OPERANDO EM SATURAÇÃO.
• Ativação da Fotocondutividade em Filmes de Sulfeto de Chumbo
• AVALIAÇÃO DA DEGRADAÇÃO DE MÓDULOS FOTOVOLTAICOS DE SILÍCIO CRISTALINO EM SISTEMAS CONECTADOS À REDE ELÉTRICA
• Avaliação da Influência da Evolução das Tecnologias de Fabricação de Nanofios Transistores MOS sobre as Suas Características Elétricas
• AVALIAÇÃO DO DESEMPENHO DE QWIPS EM FUNÇÃO DA DOPAGEM
• AVALIAÇÃO DO DESEMPENHO DO TRANSISTOR MOS SEM JUNÇÕES CONFIGURADO COMO NANOFIO OU FINFET
• AVALIAÇÃO DO USO DE FILMES OBTIDOS PELA POLIMERIZAÇÃO POR PLASMA DE TETRAETILORTOSSILICATO NA FABRICAÇÃO DE PRÉ-CONCENTRADORES
• Avaliação Fotoeletrocatalítica e Eletrocatalítica de Eletrodos Baseados em Óxido de Zinco e Cobre (I) Eletrodepositaos
• AVALIAÇÃO NUMÉRICA DO EMPENAMENTO DURANTE A FABRICAÇÃO DE SEMICONDUTORES ENCAPSULADOS PELA TECNOLOGIA POP
• Ayrton Andre Bernussi
• Ação do laser de HeNe na osteogênese
• Ballistic Eletron Emission Microscopy/Spectroscopy on Metal-Organic-Semiconductor Heterostructures
• Baterias estruturais e suas aplicações em veículos elétricos: uma revisão / Structural batteries and their applications in electric vehicles: a review
• Bi Anisotropia em Antenas de Microfita Retangular e Estruturas Circulares Modificadas
• Biomateriais, moléculas orgânicas e estruturas semicondutoras em fotônica
• BNDC AND CURRENT OSCILLATIONS IN N-TYPE GERMANIUM AT LOW TEMPERATURES
• Bruna Homrich Aita
• Bruna Niccoli Ramirez
• Bruno Cesar da Silva
• Bruno da Silva Rodrigues
• Bruno do Amaral
• Caique Peres da Silva
• Camilo Andrés Velásquez Andrade
• Caracterizacao de MOSFETs a Partir de Modelamento Fisico em Duas Dimensoes
• Caracterizacao Eletrica de Capacitores MOS Apos Altas Doses de Radiacao Ionizante
• Caracterização de células solares de perovskita utilizando as técnicas celiv e espectroscopia de impedância elétrica
• Caracterização de diferentes tecnologias de células fotovoltaicas
• Caracterização de filmes de siliceto de ferro crescidos por RDE e SPE através das técnicas de Difração de Raios-X e Microscopia Eletrônica de Transmissão.
• Caracterização de filmes finos de siliceto de titânio por difração de raio x
• Caracterização de Filmes Finos de Siliceto de Titânio por Técnicas de Difração de Raio X.
• Caracterização de Filmes Finos de Óxido de Titânio Obtidos Através de RTP para Aplicação em ISFETs.
• Caracterização de filmes obtidos a partir da deposição por plasma de hexametildissilazana
• Caracterização de fotodetectores de infravermelho a poços quânticos.
• Caracterização de Microindutores CMOS e eletrodepositados em cobre para aplicações em biotelemetria
• Caracterização de Silício Poroso Por Microscopia de Força Atômica
• Caracterização de transistores de filme fino produzidos com diamante CVD dopado com nitrogênio
• Caracterização do estresse mecânico de nanoestruturas de silício tensionado por espectroscopia Raman
• Caracterização do SEED (self electro-optic effect device) como um novo detector direcional de variações de intensidade
• Caracterização e Otimização dos Processos de Fotolitografia Aplicados na Fabricação de Dispositivos Micrométricos MOS e Microssistemas
• CARACTERIZAÇÃO ELETRO-ÓPTICA DE SENSORES DE INFRAVERMELHO
• CARACTERIZAÇÃO ELÉTRICA DE AMPLIFICADORES OPERACIONAIS DE TRANSCONDUTÂNCIA UTILIZANDO TRANSISTORES GC SOI MOSFET
• CARACTERIZAÇÃO ELÉTRICA DE AMPLIFICADORES OPERACIONAIS DE TRANSCONDUTÂNCIA UTILIZANDO TRANSISTORES GC SOI nMOSFET
• Caracterização Elétrica de Capacitores MOS Após Altas Doses de Radiação Ionizante. Concluída em 27/02/96.
• Caracterização elétrica de contatos rasos de siliceto de níquel sobre junções N+P.
• Caracterização Elétrica de Espelhos de Corrente Baseados em Transistores GC SOI MOSFET em Função da Temperatura
• Caracterização Elétrica de Filmes de SiO2 TEOS Depositados por PECVD e Estudo da Interface Si/SiO2
• Caracterização elétrica de transistores híbridos orgânico/inorgânico utilizando derivados de indenofluorenos como emissor
• CARACTERIZAÇÃO ELÉTRICA DE TRANSISTORES MOS DO TIPO NANOFIO E NANOFOLHA DE SÍLICIO EMPILHADO EM TEMPERATURAS CRIOGÊNICAS
• Caracterização Elétrica de transistores SOI de porta circundante com estrutura de canal gradual em alta temperatura
• CARACTERIZAÇÃO ELÉTRICA DE TÚNEL-FET EM ESTRUTURA DE NANOFIO COM FONTES DE SiGe E Ge EM FUNÇÃO DA TEMPERATURA
• Caracterização elétrica e simulação do transistor SOI MOSFET de porta gêmea.
• CARACTERIZAÇÃO ELÉTRICA E SIMULAÇÃO DOS EFEITOS DO AUTOAQUECIMENTO EM NANOFIOS TRANSISTORES MOS SEM JUNÇÕES EM REGIME ESTACIONÁRIO E TRANSITÓRIO.
• Caracterização Elétrica er Óptica de Novos Poli(bifenilenovinileno)s e Utilização do Poli(9,9-dioctil-1,4-fluorenileno vinileno) na Construção de Dispositivos Emissores de Luz com Novas Combinações de Materiais
• Caracterização, Modelagem, e Controle de Processo de Tratamento de Superfícies por Plasma
• Características de Filmes Finos de a-Si:H Obtidos por Pulverização Catódica
• CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS DE FILMES TERMISTORES DO TIPO PTC A BASE DE TITANATO DE BÁRIO
• Carla Marina dos Santos Sousa
• Carlos Alberto Carneiro
• Carlos Alberto Cima
• Carlos Alberto Pisani
• Carlos Alberto Teixeira
• Carlos Cesar Bof Bufon
• Carlos Eduardo Viana
• Carlos Felipe Rezende Facchini
• Carlos Galup Montoro
• Carlos Roberto Mendes de Oliveira
• Carlos Vinicius Santos Batista
• Carolina Davanzzo Gomes dos Santos
• Caroline Inês Lisevski
• Carrier dynamics of low-dimensional semiconductors: from quantum wells and quantum dots to resonant tunneling devices
• CÉLULAS SOLARES DE BANDA INTERMEDIÁRIA DE PONTOS QUÂNTICOS BASEADAS EM InAs/GaAs/AlGaAs
• Cecilia de Carvalho Castro e Silva
• Cem ODACI
• Cesar Augusto Alves de Souza
• Cesar Ramos Rodrigues
• Charge carrier dynamics and optoelectronic properties in quantum tunneling heterostructures
• Charge Transport Mechanism in Chevron-Graphene Nanoribbons
• Charles Norman Ironside
• Chave Eletrônica Inteligente para Proteção de Cargas Úteis em Aplicações Espaciais
• Christiane Lima Santos
• Christiano Pereira Guerra
• Cintia de Castro Costa
• Circuito Condicionador de Ultrabaixo Consumo para Sensor ISFET
• Circuito Elevador de Tensão de Alta Eficiência, Controlado por Duas Fases de Clock, Implementado em Tecnologia CMOS.
• Ciência dos materiais
• Ciência, Tecnologia e Modelamento de Materiais
• Classificação da hidrofobicidade em isoladores elétricos poliméricos de alta tensão.
• Claudia Brunetti
• Claudio Eduardo Csura Szendrodi
• Cleber Biasotto
• Clóvis Caetano
• Clóvis Fischer
• Co-doped p-type ZnO:Al-N Thin Films Grown by RF-Magnetron Sputtering at Room Temperature
• Comparative of analog performance of transcapacitances in asymmetric self-cascode and graded-channel SOI nMOSFETs
• Comparison of RF and Pulsed Magnetron Sputtering for the Deposition of AZO Thin Films on PET
• Complementary Photonic Crystal Integrated Logic Devices and Circuits
• Complementary Photonic Crystals Integrated Logic Devices
• Comportamento Analógico de Transistores SOI DTMOS
• Compósito formado por poli(o-etoxianilina) e zinco metálico: uma abordagem estrutural, espectroscópica e morfológica
• COMPÓSITOS DE ÓXIDOS MISTOS DE NiAl E NANOPARTÍCULAS DE PRATA PARA FOTODEGRADAÇÃO DE AZUL DE METILENO
• COMPÓSITOS POLIMÉRICOS DE GRAFENO PARA APLICAÇÃO EM SENSORES E BLINDAGEM ELETROMAGNÉTICA
• Conception et mise en ?uvre d un système matricielle de mesure du pH basé sur une structure FET a grille suspendue.
• Condutividade elétrica em TiO2 dopado com NB
• Condução Por "Hopping" Em Al0,3ga0,7as:Si
• Conexões de transformadores de alta frequência para conversores CC-CC PWM de alta potência
• Confiabilidade de dispositivos CMOS submetidos à radiação e campo magnético.
• Considerações Para O Projeto de Celulas de Memoria de Corrente Chaveada Com Transistores Hemt.
• Considerações para o projeto de Células de Memória SI (Switched-Current) com transístores HEMT
• Construção de equipamento de plasma para obtenção de filmes finos e compósitos úteis na fabricação de sensores.
• Construção de um Reator para Crescimento de Filmes de Diamante pelo Processo de Deposição de Vapor Químico Assistido por Filamento Quente
• Construção de um Sistema de Epitaxia por Feixe Molecular.
• CONSTRUÇÃO DE UM SISTEMA DE PROCESSAMENTO TÉRMICO RÁPIDO (RTP) COM LÂMPADAS DE TUNGSTÊNIO-HALOGÊNIO COMO FONTE RADIANTE DE ENERGIA
• Construção e Caracterização de Diodos n+p com contatos Al/Ni/TiSi2/Si
• Construção e Caracterização de um Fotodiodo de Silício
• Construção e Caracterização de um Reator Indutivo - ICP para Corrosão de Materiais.
• CONSTRUÇÃO, E OBTENÇÃO DAS PRINCIPAIS CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS, DE CAPACITORES MOS COM PORTA DE POLICETO DE TITÂNIO
• Contribuicao ao modelamento do transistor bipolar
• Contribuição ao desenvolvimento de dispositivos sensores de gás baseados em moléculas organo-metálicas de ftalocianina.
• Contribuição ao estudo da morfologia da superfície e da interface do siliceto de titânio sobre Si(100) empregando a técnica de microscopia de força atômica
• Contribuição ao Estudo do Efeito não Linear Causado pelo Espalhamento Estimulado Raman (SRS)
• Contribuição ao estudo do processo de corrosão de fotorresiste por plasma iônico e íon reativo
• Contribuição ao estudo tribologico dos pares acionadores de motores ultra-sonicos
• Contribuição para a sintese de diamante nanocristalino com dopagem de boro
• Contribuição para a Síntese de Diamante com Dopagens de Boro, Nitrogênio ou Enxofre.
• Contribuição à Utilização da Implantação Iônica de Fósforo e Potássio na Dopagem do Silício Amorfo Hidrogenado
• Contribuições ao Desenvolvimento de Filmes de Diamante Microcristalino Dopados com Enxofre.
• Contribuições ao desenvolvimento de sensores e microssistemas
• Contribution To The Theoretical And Experimental Study Of Monolithic Static Ram Memory Using Nmos Devices.
• Contrução e Caracterização de um Equipamento de Corrosão por Plasma e sua Aplicação na Corrosão de SiO2
• Conversor CC-CA para Sistemas Fotovoltaicos de Bombeamento de Água
• Coprocessador Neural: Hardware Analógico e Cartão Ambiente de Teste
• Correlation Characterization of Hybrid Metal-Polymer Nanowires
• Corrosao de polimeros por plasma
• Corrosion of pure and doped titanium dioxide im molten sodium hidroxide
• Corrosão Anisotrópica de Silício em solução de KOH contaminada com Sais Metálicos.
• Corrosão Anisotrópica e Formação de Superfície Nanoestruturada de SI Utilizando Plasma de Alta Densidade
• Corrosão de Alumínio por Plasma
• Corrosão de resistes por plasma para aplicação em litografia de multicamadas.
• Corrosão de Silício (100) e de SiO2 em KOH Assistida por Ultra-som, e Desenvolvimento do Processo de Oxidação para Mascará-la
• Corrosão de Silício em solução de NH4OH como forma de afinamento do canal para dispositivos Junctionless-FET.
• Corrosão de Silício Monocristalino Por Plasma
• Corrosão de silício por plasma para aplicação em microcanais.
• Corrosão do Silício Por Plasma Para Aplicação Em Microcanais. Lsi-Usp, 1998. Cnpq. Obs.: Orientação Conjunta Com O Dr. Patrick Verdonck.
• Corrosão do slício (100) e de SiO2 em KOH assistida por ultrassom, e desenvolvimento do processo de oxidação para mascará-la
• Corrosão Por Plasma de Alumínio
• Corrosão por plasma de filmes de silicio policristalino e nitreto de silicio para tecnologia MEMS e CMOS
• Corrosão por plasma de filmes de silicio policristalino e nitreto de silicio para tecnologias CMOS e MEMS
• Corrosão Química Anisotrópica do Si e Caracterização dessa Corrosão plea mistura KOH H20,IPA
• Cost-Effective Thin n-type Silicon Solar Cells with Rear Emitter
• Cotribuição sorbre a utilização de microprocessadorres para medida e controle de temperatura e umidade
• Crescimento de cristais de diamante e carbono tipo diamante por eletrólise de compostos orgânicos.
• Crescimento de Filmes de Diamante Sobre Safira
• Crescimento de Monocristais utilizando a Liga PbSnTe através do Método Bridgman
• Crescimento de pontos quânticos das familias InAs/InP, InAs/InGaAs e InAs/InGaAlAs
• Crescimento de Pontos Quânticos de InAs
• Crescimento e Caracterização de Fios Quânticos Semicondutoras para Aplicação em Células Solares
• Crescimento e caracterização de materiais e nanoestruturas semicondutoras para aplicação em células solares
• CRESCIMENTO EPITAXIAL SELETIVO DE ESTRUTURAS SEMICONDUTORAS III-V VISANDO A INTEGRAÇÃO OPTOELETRÔNICA
• Cristais líquidos discóticos contendo grupo AZO: Síntese, caracterização investigação das propriedades
• Cristalizacion de a-Si:H por laser
• Cristian Otsuka Hamanaka
• Cristiano José Nicolau Arbex
• Cristiano Tavares Malheiro
• Cryogenic Operation of Thin-Film FDSOI nMOS Transistors: The Effect of Back Bias on Drain Current and Transconductance
• Curt Egon Hennies
• Cálculo de Auto Valores da Equação Hipergeométrica Confluente Aplicado à Engenharia de Dispositivos Semicondutores
• Cássio Roberto de Almeida
• Células Solares Bifaciais Finas com Campo Retrodifusor Localizado de Alumínio e Seletivo de Boro e Alumínio
• Células solares bifaciais finas em silício tipo n: otimização de processos de fabricação
• Células Solares com Campo Retrodifusor de Alumínio Formado em Forno de Esteira
• Células solares de banda intermediária baseada em pontos quânticos para atingir alta eficiência
• CÉLULAS SOLARES DE BANDA INTERMEDIÁRIA DE PONTOS QUÂNTICOS DE INAS EM INGAP
• Células solares de silício de alto rendimento: otimizações teóricas e implementações experimentais utilizando processos de baixo custo.
• Células solares de silício semicristalino: Técnicas de passivaçáo de defeitos
• Células solares e sensores de filmes finos de silício depositados sobre substratos flexíveis
• Células Solares em Silício de Baixa Resistividade
• Células Solares em Silício de Baixa Resistividade
• Células Solares eme Silício de Baixa Resistividade
• Células Solares Fotovoltaicas de Silício Mono e Multicristalino com Camadas antirefletoras Simples (SiN:H) e Duplas (SiN:H/SiO2-fino) depositadas por PECVD
• CÉLULAS SOLARES UTILIZANDO SUBSTRATOS FLEXÍVEIS BASEADOS EM CELULOSE
• César Augusto Prior
• Cícero Luiz Alves Cunha
• Daniel Lohmann
• Daniel Manha Alati
• DANIELA OTA HISAYASU SUZUKI
• Darin Jay Sleiter
• Dario Eberhardt
• Davi Marcelo Febba
• Davi Sabbag Roveri
• David da Silva Leocadio Figueira
• Davies William de Lima Monteiro
• Dayana Luiza Martins Bazani
• Decapagem de fotorresiste por plasma O2/SF6 e a sua aplicação na fabricação de Air Bridge
• Definition of CVD Graphene Micro Ribbons with Lithography and Oxygen Plasma Ashing
• Denilson Oliveira Figueiredo
• Denise Criado Pereira de Souza
• Deposicao de nitreto de silicio por LPCVD
• Deposition of Magnetic Carbon Nano Tubes with Chromium Seed
• Deposição de AlN para a Fabricação de Sensores de Pressão a SAW
• Deposição de Estruturas Carboníferas por Processo Eletroquímico Através de Solução Orgânica em Temperatura Ambiente
• Deposição de filmes de ZnO
• Deposição e caracterização de filmes antirreflexo de TiO2 por deposição química em fase vapor
• Deposição e Caracterização de Filmes de Diamante Semicondutor
• Deposição e Caracterização de Filmes de SiO2 Crescidos pela Técnica de PECVD a Baixa Temperatura
• Deposição e Caracterização de Silício Policristalino Depositado por LPCVD.
• Deposição Eletrostática de Nanofibras
• Desempenho de Transistores GC SOI MOSFET Submicrométricos
• DESENVOLVIMENTO DE BIOSSENSORES DO TIPO TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO A BASE DE GRAFENO (GraFETS) DECORADOS COM NANOPARTÍCULAS DE OURO APLICADOS NA DETECÇÃO ULTRA-SENSÍVEL DE BIOMARCADORES DE CÂNCER DE MAMA
• Desenvolvimento de Circuitos de Teste para caracterização de Circuitos Integrados sob Radiação.
• Desenvolvimento de células solares : influência do processo de formação do campo retrodifusor com pasta de alumínio
• Desenvolvimento de células solares bifaciais base n e análise da passivação
• Desenvolvimento de Células Solares Bifaciais Industriais com Deposição de Dopante com Boro por Spin-On
• Desenvolvimento de Células Solares Bifaciais PERT Base n: Análise da Difusão com Redução de Etapas Térmicas e da Passivação com Óxido de Silício Crescido em Diferentes Condições
• Desenvolvimento de Células Solares Bifaciais PERT Base P com Junção Flutuante e Análise da Passivação
• Desenvolvimento de Células Solares com Contatos Posteriores Formados por Radiação Laser e Análise da Passivação na Face Posterior
• Desenvolvimento de células solares com metalização por serigrafia : influência do emissor N
• Desenvolvimento de células solares em base n com emissor posterior de Al e passivação
• Desenvolvimento de Células Solares em Silício tipo n com Emissor Formado com Boro
• Desenvolvimento de Dispositivos Baseados em Substrato de GaAs com Passivação por Plasma ECR.
• Desenvolvimento de Dispositivos Bolométricos para Detecção de Radiação Infravermelha Distante
• DESENVOLVIMENTO DE DISPOSITIVOS DE EFEITO DE CAMPO SENSÍVEL A ÍONS (EIS E ISFET) COM DIFERENTES ELETRODOS INTEGRADOS (AL, AL2O3/AL, GRAFENO/TIN, TIN, e AU/TI) DE REFERÊNCIA
• Desenvolvimento de dispositivos de emissão por efeito de campo elétrico fabricados pela técnica HI-PS.
• Desenvolvimento de Dispositivos Eletroluminescentes Construídos com Poli(3-hexadeciltiofeno)
• Desenvolvimento de dispositivos microfluídicos para caracterização de bioprocessos
• Desenvolvimento de Elementos de Projeto de MMIC em Tecnologia HBT
• Desenvolvimento de filmes de silício-germânio para aplicações em dispositivos MOS
• Desenvolvimento de Filmes de Silício-Germânio Policristalino para Aplicações em Dispositivos MOS
• Desenvolvimento de filmes finos de TiOx e ZnO para dispositivos ISFET e SAW.
• Desenvolvimento de Filmes Finos de Óxido de Silício Obtido A Baixas Temperaturas Pela Técnica de Pecvd
• Desenvolvimento de Filmes Microcristalinos de Carbeto de Silício Obtidos A Baixas Temperaturas Pela Técnica de Pecvd
• Desenvolvimento de fotodetectores de infravermelho distante usando transições intrabanda em poços quânticos múltiplos de GaAs/AlGaAs
• Desenvolvimento de guias de onda em estrutura pedestal para aplicações em óptica não linear
• Desenvolvimento de Materiais e Métodos de Fabricação de Sensores Químicos/Bioquímicos Baseados em Silício e Nanoestruturas de Carbono (ISFET, CNTFET e GraFET)
• Desenvolvimento de micro-aquecedores compativeis com tecnologias de microeletronica para aplicação em transdutores termicos
• Desenvolvimento de Micro-Aquecedores Compatíveis com Tecnologias de Microeletrônica para Aplicações em Transdutores Térmicos
• Desenvolvimento de micro-estruturas mecanicas sobre o silicio atraves da corrosão do substrato pela superficie
• Desenvolvimento de Nanofios Transistores em Substratos SOI com Espessuras Nanométricas
• Desenvolvimento de Processos de Eletrodos de Porta (TaN e TiN) para Dispositivos MOS Planar
• DESENVOLVIMENTO DE PROCESSOS DE OBTENÇÃO DE NANOFIOS DE SILÍCIO PARA DISPOSITIVOS MOS 3D UTILIZANDO FEIXE DE ÍONS FOCALIZADOS E LITOGRAFIA POR FEIXE DE ELÉTRONS
• Desenvolvimento de Processos de Replicação de Elementos Ópticos Difrativos
• Desenvolvimento de Processos Industriais de Fabricação de Células Solares Bifaciais em Silício Cz
• Desenvolvimento de Resiste Amplificados Quimicamente e Sililacao Em Litografia Por Feixe de Eletrons.
• Desenvolvimento de sensor fotoeletroquímico miniaturizado empregando nitreto de carbono grafítico e aplicações na detecção da SARS-CoV-2
• Desenvolvimento de sensores
• Desenvolvimento de sensores olfativos aplicado a biocombustíveis
• Desenvolvimento de sistemas cerâmicos à base de TiO2 visando sua aplicação na área de varistores
• Desenvolvimento de Sistemas e Medida de ruído de alta e baixa frequência em dispositivos semicondutores.
• Desenvolvimento de software para simulação atomística da corrosão anisotrópica do silício por autômato celular.
• DESENVOLVIMENTO DE TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO BASEADOS EM ELETRODOS DE NITRETO DE TÂNTALO E EM CANAIS DE GRAFENOS TRANSFERIDOS POR DIELETROFORESE (DEP) OU POR LITOGRAFIA E CORROSÃO SECA
• DESENVOLVIMENTO DE TÉCNICAS DE CARACTERIZAÇÃO DE MATRIZES DE SENSORES DE INFRAVERMELHO, FPA, UTILIZANDO APARATO ELETRÔNICO DE LEITURA DIRETA DO CIRCUITO INTEGRADO DE LEITURA
• Desenvolvimento de Técnicas para Processamento de Emissores Seletivos em Células Solares
• DESENVOLVIMENTO DE UM MICRO-SENSOR DE PRESSÃO INTRAVASCULAR UTILIZANDO PÓS-PROCESSAMENTO
• Desenvolvimento de um Microcontrolador de 8 Bits em VHDL baseado no Conjunto de Instruções do 8051 com Comunicação Serial I2C e Criptografia AES128
• Desenvolvimento de um Microsensor de Vazão de Gás Implementado em Silício
• Desenvolvimento de um Modelo Analítico Contínuo para Transistores GC SOI MOSFET
• Desenvolvimento de um Modelo Analítico Contínuo para Transistores GC SOI nMOSFETs
• Desenvolvimento de um modelo dinâmico de histerese magnética
• Desenvolvimento de um oscilador controlado por tensão operando em 900 MHZ em tecnologia CMOS de 0.5 um para aplicações em radio frequencia
• Desenvolvimento de um Processo CMOS (2 micrometros): Fabricação do Chip Teste CMOS, Células APS e Chips Didáticos
• Desenvolvimento de um processo CMOS (2um) : fabricação do chip teste CMOS, celulas APS e chips didaticos
• Desenvolvimento de um Processo de Soldagem Anódica para Sensores de Pressão e Microestruturas
• Desenvolvimento de um processo de soldagem anódica para sensores de pressão e microestruturas mecânicas
• Desenvolvimento de um processo litografico para microeletronica.
• Desenvolvimento de um Processo Litográfico de Camada Simples para Microestruturas com Razões de Aspecto Elevadas
• Desenvolvimento de um Processo NMOS de Alto Desempenho: Análise, Caracterização e Extração de Parâmetros Elétricos e Tecnológicos.
• Desenvolvimento de um Sensor de Óxido Nítrico Baseado na Tecnologia Planar de Silício
• Desenvolvimento de um sensor eletroquímico planar para monitoração de nitrito por FIA-automatizada utilizando microelétrodos de ouro modificados
• Desenvolvimento de um Sensor Planar para Determinação Eletroquímica de Nitrito
• Desenvolvimento de um sistema de emulação de Single Event Upsets em dispositivos COTS baseado na metodologia Code Emulating Upsets
• Desenvolvimento de um Sistema de Sputtering com Múltiplos Alvos
• Desenvolvimento de um Sistema Multicâmara Integrado para Deposição e Recozimento de Filmes de SiO2.
• Desenvolvimento de um sistema receptor para aplicações em enlaces opticos com tecnologia HEMT
• Desenvolvimento de um software de simulação e visualização para o ensino de Ciência e Tecnologia no Ensino Médio
• DESENVOLVIMENTO DE UMA CELULA SOLAR DE SILICIO PARA APLICACOES ESPACIAIS.
• Desenvolvimento de uma Estrutura de Duplo Nível de Metal para a Confecção de Interconexões em Circuitos Integrados
• DESENVOLVIMENTO DO CAMPO RETRODIFUSOR SELETIVO DE ALUMÍNIO E BORO EM CÉLULAS SOLARES DE SILÍCIO
• DESENVOLVIMENTO E ANÁLISE DE CÉLULAS SOLARES BASE N COM EMISSOR SELETIVO FORMADO POR RADIAÇÃO LASER
• Desenvolvimento e Análise de Filmes Antirreflexo de Sulfeto de Zinco para Células Solares
• DESENVOLVIMENTO E ANÁLISE DE PASSIVAÇÃO COM DIÓXIDO DE TITÂNIO EM CÉLULAS SOLARES COM CAMPO RETRODIFUSOR SELETIVO
• Desenvolvimento e Caracterização de Células Fotovoltaicas Orgânicas Compostas por Filmes Finos Semicondutores Nanoestruturados
• Desenvolvimento e Caracterização de Filmes Antirrefletores para Sensores de Infravermelho
• Desenvolvimento e caracterização de filmes finos de óxidos de silício e nitreto de silício para a fabricação de guias e sensores ópticos
• Desenvolvimento e Comparação de Células Solares Bifaciais Industriais com Deposição de Dopante com Boro por Spin-On
• Desenvolvimento e Comparação de Células Solares Bifaciais Processadas com Redução de Etapas Térmicas em Lâminas de Silício com Diferentes Resistividades de Base
• DESENVOLVIMENTO E COMPARAÇÃO DE CÉLULAS SOLARES FINAS COM ESTRUTURAS P+NN+ E N+NP+
• Desenvolvimento e Comparação de Células Solares n+pn+ e n+pp+ em Silício Multicristalino
• Desenvolvimento e comparação de células solares p+nn+ com emissor seletivo e homogêneo
• Desenvolvimento e fabricação de transistores de efeito de campo com canal de micro fitas de grafeno e suas aplicações como biossensor
• Desenvolvimento e fabricação de um protótipo de um dispositivo multiplicador de elétrons à gás Micromegas com substrato de Silício e isolante SU-8
• Desenvolvimento e otimização de tecnologia CMOS com porta de silício policristalino
• Desenvolvimento Técnicas para Fabricação de Sensores Multiespectrais
• Desenvolvimento, Caracterização e Aplicações de Solda Direta
• Design And Development Of A Cmos Metal Gate Technology
• Designing a Multifunctional Magnetic Microtube with Enhanced Conductivity through Local Heterojunction Decoration of CsPbBr 3 Nanocrystals
• Detecção Distribuída de Falhas em SoC Multiprocessados
• Detecção e Identificação Elétrica dos nucleotídios do DNA via nanoporo hrido de grafeno e nitreto de boro hexagonal:Um estudo Teórico
• Determinação da Dimensionalidade do Gás de Elétrons No Emissor de Um Dispositivo de Barreira Dupla Por Magneto-Tunelamento
• Development and Analysis of Silicon Solar Cells with Laser-Fired Contacts and Laser Chemical Processing
• Development and analysis of silicon solar cells with laser-fired contacts and silicon nitride laser ablation
• Development and characterisation of Cu(In,Ga)(S,Se)2 thin film solar cells with In2S3 buffer layers deposited by ultrasonic spray pyrolysis.
• Development of a Model for Calculation of Energy Absorbed by a ZnO Surge Arrester During Transients
• Development of functionalized tetravalent phthalocyanines for low-cost organic photovoltaics with improved performance.
• Development of novel paper-based electrochemical device modified with CdSe/CdS magic-sized quantum dots and application for the sensing of dopamine
• Development of semiconductor nanowire materials for electronic and photonics applications
• Diego Dias de Menezes
• Diego Kops Pinto
• Difusao de Estanho e Implantacao Ionica de Magnesio Em Gaas.
• Difusão de Zn em GaAs e GaAlAs(30-70%)
• Dinâmica de células de pontos quanticos acopladas.
• Diogo Andrade
• Diogo de Moura Pedroso
• Dionatan de Souza Moura
• Dionisio Fama Noque
• Dispositivos baseados em óxido de estanho e zinco
• DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS ORGÂNICOS BASEADOS NO ÓLEO DE BURITI (Mauritia flexuosa L.)
• Dispositivos Semicondutores
• Dispositivos Ópticos Difrativos e Holografia Digital
• DISSE
• Diógenes Cecilio da Silva Junior
• Dopagem Elétrica de filmes finos de Carbeto de Silício Amorfo Hidrogenado (a-SiC:H) obtido por PECVD
• DotFETs: MOSFETs Strained by a Single SiGe SiGe Dot in a Low-Temperature ELA Technology
• Douglas de Freitas Takeuti
• Douglas Soares de Oliveira
• Eco-friendly and cost-effective synthesis of ZnO nanopowders by Tapioca-assisted sol-gel route
• Edelweis Helena Garcez Ritt
• Edgard Winter da Costa
• Edison Fernandes Motta
• Edmundo da Silva Braga
• Ednan Joanni
• Edson José de Carvalho
• Eduardo Cesar Melo Barbosa
• Eduardo de Souza Santos
• Edval José Pinheiro Santos
• Efeito da Corrosão por Plasmas nas Propriedades Eletro-Emissivas de Filmes de Carbono tipo Diamante Nitrogenados
• Efeito da radiação X, nível radiodiagnóstico, sobre os parâmetros 𝜋-híbridos de transistores
• EFEITO DA TENSÃO MECÂNICA BIAXIAL EM TRANSISTORES SOI TOTALMENTE DEPLETADOS EM FUNÇÃO DA TEMPERATURA.
• EFEITO DA TENSÃO MECÂNICA EM TRANSISTORES DE MÚLTIPLAS PORTAS OPERANDO EM TEMPERATURAS CRIOGÊNICAS.
• Efeito da Tensão Mecânica em Transistores SOI Totalmente Depletados em Função da Temperatura
• Efeito das condições de sinterização nas propriedades elétricas de ceramicas do tipo PTC para uso em circuito de partida de motores
• Efeito de magnetorresistência linear em semicondutores de gap estreito
• EFEITO DE VESICULAS SINTETICAS OU FOSFOLIPIDICAS SOBRE A MOLHABILIDADE DE SUPERFICIES PLANARES DE OXIDO DE SILICIO
• Efeito do Auto-Aquecimento em Transistores SOI/MOS Totalmente Depletados
• Efeito Piezo-Hall em dispositivos sensores integrados
• Efeitos causados pela incorporação de nitrogênio na rede estrutural e nas propriedades elétricas e mecânicas de filmes de carbono tipo-diamante.
• Efeitos da aplicação de técnicas de aprimoramento de desempenho em trasistores SOI CMOS de tecnologias totalmente depletadas promissoras
• Efeitos da Coalescência de Poros e Segregação de Fases no Sistema de Óxidos de Vanádio V, Cério IV e Titânio IV Obtido a Partir de Precursor Gel
• EFEITOS DA OPERAÇÃO EM ALTAS TEMPERATURAS SOBRE AS PROPRIEDADES ELÉTRICAS DE NANOFIOS TRANSISTORES MOS DE DIFERENTES TECNOLOGIAS
• Efeitos de bôlhas e de transporte na morfologia de silicio corroído anisotrópicamente
• Efeitos de Canto em Transistores Tridimensionais
• Efeitos do Autoaquecimento em Transistores SOI-MOS Tridimensionais Nanométricos
• Efeitos Especiais na Caracterização de Dispositivos MOS Convencionais e SOI-MOSFET
• Effects of Work Function and Electron Affinity on the Performance of Carrier-Selective Contacts in Silicon Solar Cells Using ZnSn_x Ge_1-xN2as a Case Study
• Elana Pereira de Santana
• Eleani Maria da Costa
• Electrical and optical characterizations of erbium doped MPS/PANI heterojunctions
• Electrical characteristics of n-type vertically stacked nanowires operating up to 600 K
• Electrical Characterization of Positively Charged SiO Coatings for MOS Solar Cells
• Electrical Characterization of Stacked SOI Nanowires at Low Temperatures
• Electron Scattering Processes in Steroid Molecules via NEGF-DFT: The Opening of Conduction Channels by Central Oxygen
• Electronic and structural properties of Janus MoSSe/MoX2 (X = S,Se) in-plane heterojunctions: A DFT study
• Electronic and Transport Properties of Carbon Nanotubes: Spin-orbit Effects and External Fields
• Electronic properties and band alignments of 2D crystals and their van der Waals heterostructures
• ELECTRONIC TRANSITION PROCESSES IN INTRABAND PHOTODETECTORS AND A CASE STUDY
• Electronic transport in polypyrrole films
• ELECTROSPINNING PAN/PdCl2 NANOFIBER FOR HIDROGEN STORAGE ? THE INFLUENCE OF THE PREPARATION METHOD
• Elementos Piezoresistivos para Sensores de Pressão com Tecnologia CMOS
• Eleonora Cominato Weiner
• Eletrodeposição de Bi2Se3: morfologia, estrutura e dopagem com cobre (Cu)
• Eletrodeposição de filmes finos de Cu2O dopados com Co.
• Eletrodos de porta MOS planar e 3D baseados em TiN obtido por evaporação de Ti e nitretação por plasma ECR
• Eletrônica de Potência e Máquinas Elétricas
• Eliane Ribeiro Januário
• Elias Cantarelli Hoffmann
• Eliphas Wagner Simoes
• Elisabete Galeazzo
• Em Direção a uma Tecnologia Híbrida de Meso-Sistemas, Sensores e Atuadores com Cerâmicas Verdes: Propostas e Realizações
• Emerson Chaves dos Santos
• Emerson Gonçalves de Melo
• Emerson Roberto Santos
• Emerson Yasuyuki Arashiro
• Emilio Sérgio Marins Vieira Pinto
• Emissão de elétrons por efeito de campo em diamante policristalino dopado com boro e desenvolvimento de um novo sistema de ultra alto vácuo.
• Emmanuel Petitprez
• Emre Yassitepe
• Emurugu Elangovan
• Energia e Meio Ambiente
• Enhanced diffusion and electrical behaviour of misfit dislocations in epitaxial Si/Si(Ge)
• Enio Luiz Carpi
• Enrique Escobedo Cousin
• Enrique Klai de França
• Entwicklung von Virtual-Phase-CCD-Teststrukturen zur Bestimmung der Volumen-Generationslebensdauer im Siliziumgrundmaterial
• Equipamento Automático para Caracterização Corrente-Tensão de Dispositivos Semicondutores
• Eric Ericson Fabris
• Erick Araújo dos Santos
• Ernesto Felipe Castillo Maldonado
• Eronides Felisberto da Silva Junior
• Esferas de carbono dispersas em matriz de álcool polivinílico e aplicação em sensores de pressão
• Esfoliação eletroquímica de grafite oriunda de resíduo de pilhas para obtenção de óxido de grafeno para aplicação em dispositivos de armazenamento de energia
• Espectroscopia fotoacústica para caracterização de células solares.
• Estabilidade e plasticidade de nanofios de silício.
• Estimativa da Distribuição Espectral da Radiação Solar Sobre o Território Brasileiro Através de Análise Multiinstrumental
• Estimação de Parâmetros do Modelo de Histerese L2P Utilizando o Método de Levenberg-Marquardt
• Estimulador elétrico funcional com balanceamento ativo de cargas integrado em tecnologia CMOS de 130nm
• ESTRUTURAS CMOS RESISTENTES À RADIAÇÃO UTILIZANDO PROCESSOS DE FABRICAÇÃO CONVENCIONAIS
• Estruturas de Fonte e Dreno para Transistores MOS Submicrométricos
• Estruturas de poços quânticos de InGaAs/InAlAs para modulação eletro-ótica de amplitude
• Estruturas de Teste de Sensores APS Resistentes à Radiação
• Estruturas elétricas para avaliação de parametros litográficos em um processo de fabricação de circuitos integrados
• Estruturas Fotônicas Baseadas em Silício Dopado com Érbio para Aplicações em Telecomunicações
• Estruturação de um método de fabricação de transistores bipolares auto-alinhados para circuitos integrados de alta velocidade
• Estudo comparativo de transistores SOI planares de alto desempenho analógico
• ESTUDO COMPARATIVO ENTRE MÓDULOS FOTOVOLTAICOS EM ESTRUTURA FIXA E COM RASTREADOR
• Estudo Comparativo Experimental entre o Estilo de Leiaute Wave e o Convencional Equivalente para Implementação de Circuitos Integrados Analógicos e Digitais.
• Estudo da comutação resistiva no composto 𝑍𝑛𝐹𝑒2𝑂4
• Estudo da Corrosão de Filmes de Carbono tipo Diamante por Descargas Elétricas em Pressão Atmosférica.
• Estudo da Deposição Química de Cobalto em Superfícies de Silício Pré-Ativadas por Paladio.
• Estudo da distribuição da temperatura em encapsulamento de dispositivo MOSFET utilizando simulação por elementos finitos.
• Estudo da Energia de Gap e Propriedades Ópticas em filmes finos de TiO2 e SnO2 por Espectroscopia Óptica
• Estudo da Falha por Eletromigração em Trilha Plana de Metalização Al/Si-1% Depositada por Sputtering
• ESTUDO DA FORMACAO DO DISILICETO DE COBALTO EM DUAS ETAPAS TERMICAS SOBRE SUBSTRATO ALTAMENTE DOPADO
• Estudo da Formacao e das Caracteristicas de Contatos Al/Tiw/Tisi2 So- Bre Juncoes Rasas Com Aplicacao da Tecnica Aes.
• Estudo da Formacao e Deposicao de Silicetos de Titanio sobre Dioxido de Silicio por Co-deposicao
• Estudo da formação e das características de contatos Al/TiW/TiSi2 sobre junções rasas com aplicação da técnica AES
• Estudo da influência dos parâmetros de recozimento térmico rápido na morfologia dos filmes de TiSi2 formados e sua correlação com a tensão mecânica
• Estudo da linearidade em transistores SOI de porta dupla com estrutura de canal gradual
• Estudo da mobilidade em dispositivos planares e de múltiplas portas
• Estudo da Morfologia e estrutura de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) obtido pela técnica de PECVD
• Estudo da morfologia e estrutura de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) obtidos pela técnica de PECVD.
• Estudo da Qualidade e da Uniformidade de Dielétricos finos de Porta MOS Obtidos em Superfícies Irregulares Contendo Degraus Abruptos
• Estudo da reprodutibilidade e da confiabilidade do processo de deposição do filme SIPOS para a passivação de dispositivos de potência
• ESTUDO DA RESISTENCIA MECANICA DE MICROESTRUTURAS EM SILICIO
• Estudo da rugosidade eletronica em capacitores MOS nanometricos
• Estudo da sintonia das emissões ópticas de pontos quânticos de InAs/GaAs nas regiões de 1,3 e 1,5 microns
• Estudo da Tensão de Limiar e da Inclinação de Sublimiar em Transistores FinFETs de Porta Dupla e Porta Trípla
• ESTUDO DA TRANSCONDUTÂNCIA E DA RAZÃO DA TRANSCONDUTÂNCIA SOBRE A CORRENTE DE DRENO DO SOI nMOSFET DE PORTA EM ANEL CIRCULAR UTILIZANDO TECNOLOGIA SOI CMOS DE 0.13um.
• Estudo da variação do pH na síntese e propriedade fotocatalítica do molibdato de prata obtido pelo método sonoquímico.
• Estudo da viabilidade da oxidação do silício por plasma em reator planar.
• Estudo da viabilidade técnica da utilização de microcanais para concentração de produtos químicos
• Estudo das Capacitâncias de Porta em Transistores MOS Sem Junção
• ESTUDO DAS CARACTERÍSTICAS DE MODULADORES DE AMPLITUDE FABRICADOS COM ESTRUTURAS SEMICONDUTORAS INALAS/INGAAS E ALGAAS/GAAS MQW
• Estudo das Componentes das Correntes de Fuga em Dispositivos SOI MOSFET Operando em Altas Temperaturas
• Estudo das propriedades fotoluminescentes do ZnS e ZnS:Eu obtidos pelo método solvotérmico assistido por microondas Dissertação
• ESTUDO DAS PROPRIEDADES MORFOLÓGICO-ESTRUTURAIS E ELETROQUÍMICAS DE ELETRODOS DE SnO2.
• Estudo das propriedades térmicas de transistores MOS nanométricos
• Estudo das propriedades ópticas e eletro-ópticas de filmes de DLC para aplicação em dispositivos fotônicos e opto-eletrônicos
• Estudo das propriedades ópticas e eletro-ópticas de fimes de carbono tipo diamante (DLC) para aplicação e dispositivos fotônicos e opto-eletrônicos.
• Estudo de alternativas para minimização de perdas em dispositivos fotovoltaicos de GaAs
• Estudo de camadas dielétricas para aplicação em capacitores MOS.
• Estudo de camadas transportadoras de cargas em diodos emissores de luz poliméricos.
• Estudo de caso de envelhecimento magnético em aços elétricos de grão não orientado de baixa eficiência
• Estudo de Dispositivos Miniaturizados para Controle de Escoamento de Fluidos
• Estudo de Dispositivos Multicamadas Nanoestruturados de Sistemas ZnS/ZnS:Mn
• Estudo de dispositivos orgânicos emissores de luz empregando complexos de terras raras e de metais de transição"
• Estudo de Dispositivos Poliméricos Eletroluminescentes
• Estudo de Distorção Harmônica em Transistores de Porta Circular
• Estudo de estruturas de poços quânticos múltiplos com dopagem nipi para modulação por eletro-absorção
• Estudo de filmes finos de In2O3-sn por Evaporação Reativa
• Estudo de formação de discordâncias em materiais semicondutores através de simulação e modelagem tridimensional
• Estudo de novos corantes natural fotoexcitável como sensibilizadores em células solares
• Estudo de processo de fabricação de diodo Schottky de potencia
• Estudo de resistes amplificados quimicamente e sililação em litografia por feixe de elétrons.
• Estudo de transistores SOI MOSFET com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos em modo de tensão de limiar dinâmica
• Estudo de Transporte de Carga em Polimeros de Polianilina
• Estudo de um detector semicondutor de radiação ionizante de interesse aeroespacial, baseado em um fotodiodo PIN.
• ESTUDO DE UM FILME DE SILICETO DE NÍQUEL PARA SER UTILIZADO COMO MATERIAL DE MÁSCARA EM SOLUÇÕES ALCALINAS PARA APLICAÇÕES EM ÓPTICA INTEGRADA
• Estudo do Comportamento da Resistência Série e Desenvolvimento de Novos Métodos de Caracterização Elétrica em Transistores SOI NMOSFET
• Estudo do comportamento de transistores FinFETs com subposição de porta aplicados como sensores
• ESTUDO DO COMPORTAMENTO ELÉTRICO DE ESTRUTURAS MOSFETs NÃO CONVENCIONAIS E DO MOSFET DIAMANTE EM AMBIENTES RADIOATIVOS
• Estudo do crescimento de grão em um aço ao silício para fins elétricos de grão não orientado
• Estudo do crescimento lateral de silicetos e formacao do siliceto de cobalto
• Estudo do efeito da co-dopagem Cd/Te em monocristais de GaSb crescidos por LEC
• Estudo do Efeito da elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI ultra-submicrométricos
• Estudo do Efeito de Auto Aquecimento em Transistores SOI com Canal Gradual por Medida Pulsada
• Estudo do efeito de auto-aquecimento em transistores SOI com estrutura de canal gradual - GC SOI MOSFET.
• Estudo do Efeito de Auto-Aquecimento em Transistores SOI-MOSFET Fabricados em Tecnologia de Camadas Ultra Finas (UTB e UTBB)
• Estudo do Efeito de Elevação Atípica da Transcondutância na Região Linear de Polarização em Dispositivos SOI MOSFETs Ultra-Submicrométrico
• Estudo do efeito de redução de barreira induzida pelo dreno em temperaturas criogênicas para transistores SOI ultra-submicrométricos
• Estudo do Efeito DIBL em Função da Temperatura em Nanofios Transistores SOI MOS de Efeito de Campo
• Estudo do Efeito do Substrato no Transistor SOI MOSFET em Temperatura Ambiente (300 K) e em Baixa Temperatura (77 K)
• Estudo do Halo em Transistores SOI MOSFETs ultra-submicrométricos em Função da Temperatura
• Estudo do Impacto da Segregação de Dopantes sobre a Corrente através de Barreiras de Potencial
• Estudo do Ponto Invariante com a Temperatura ("Zero Temperature Coefficient") em transistores MOS e SOI MOSFET fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica
• ESTUDO DO PONTO INVARIANTE COM A TEMPERATURA (ZTC) EM DISPOSITIVOS SOI MOSFETs TECNOLOGIA ULTRASUBMICROMETRICAS
• Estudo do Sombreamento Parcial Sobre Módulos Fotovoltaicos Através da Resistência Série e das Redes Neurais Artificiais.
• Estudo dos conversores Análogo-Digital de alta freqüência e implementação de um conversor com estrutura paralela de 5 bits
• Estudo dos efeitos transitórios da radiação sobre a confiabilidade de transistores SOI
• Estudo e Aplicação de Litografia por Feixe de Elétrons na Fabricação de Estruturas de relevo Contínuo para Utilização em Microóptica Integrada
• Estudo e Caracterização da Corrosão de Silicio Com Plasma de Cbrf3 e Medidas de Propriedades de Plasmas Com Sondas de Langmuir
• Estudo e Caracterização de Dispositivos Fotovoltaicos Orgânicos Baseados na Heterojunção de P3HT/PCBM e Aplicação de Materiais Plasmônicos.
• Estudo e Caracterização de Filmes de Óxido de Silício Depositados por PECVD usando TEOS como Fonte de Si
• Estudo e caracterização do processo PECVD-TEOS para a deposição de filmes de óxido de silício e estudo das interfaces
• Estudo e Caracterização Elétrica de Ruído de Bolômetros em LSMO e Proposta para Redução de Interferências em Matrizes de Detectores Bolométricos em Si-Poli
• Estudo e Carcterização de Filmes SIPOS para a passivação de dispositivos de potência
• Estudo e desenvolvimento de filmes sipos para a passivação de dispositivos de potência
• Estudo e desenvolvimento de um microssensor de vazão de gases utilizando microfilamentos suspensos e empregando os métodos Calorimétrico e do Tempo de Vôo Térmico
• Estudo e Desenvolvimento de Uma Tecnologia CMOS-TFT à Baixa Temperatura.
• Estudo e Fabricação de Capacitores MOS com camada isolante de SiOxNy crescidos por PECVD
• Estudo e Implementação de um Processo de Fabricação de Microponteiras de Si, Utilizando Plasma de Hexafluoreto de Enxofre e Oxigênio.
• Estudo e Implementação de um Teste de Aceleração Térmica para a Melhoria da Qualidade e Confiabilidade de Componentes e Sistemas
• Estudo e otimização das propriedades estruturais, ópticas e elétricas de películas de SiOxNy depositadas por PECVD para aplicações em dispositivos MOS, microestruturas e guias de onda.
• Estudo e produção de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy ), pela técnica de PECVD
• Estudo e Produção de Ligas Amorfas Hidrogenadas de Silício, Oxigênio e Nitrogênio, ricas em silício (a-SiOxNy:H), obtidas por PECVD
• Estudo e Projeto de um Misturador CMOS Para RF
• Estudo e Simulações Computacionais das Propriedades Eletrostáticas Associadas à Forma Hemisfério-Sobre-Um-Poste de Emissores de Elétrons por Efeito de Campo, Baseados no Método de Elementos Finitos.
• Estudo experimental da deposição química autocatalítica de níquel para aplicações em microeletrônica
• Estudo experimental da eletrodeposição de níquel para aplicações em microeletrônica
• Estudo Experimental da Obtenção de Oxinitretos de Silício Ultrafinos para Portas MOS
• Estudo Experimental da Tensão Mecânica e da Morfologia em Filmes Finos de Cobre Obtidos por Deposição Eletroquímica Espontânea sobre Silício
• Estudo Experimental de Oxinitretos de Porta Ultra-finos obtidos por Implantação Iônica de Nitrogênio através da estrutura Silício Policristalino/Óxido/Silício
• Estudo Experimental do Escalamento Dinâmico da Rugosidade em Filmes de Cobre Obtidos por Deposição Eletroquímica Espontânea sobre Silício
• Estudo experimental do escolamento dinâmico da rugosidade em filmes finos metálicos obtidos por deposição eletroquímica espontânea
• Estudo nanoestrutural de pós a base de SnO2 para a construção de sensores de gases seletivos ao SO2
• ESTUDO TEORICO-EXPERIMENTAL DO EFEITO TIRISTOR PARASITARIO (LATCH-UP") EM ESTRUTURAS CMOS
• Estudo Teórico-Experimental do Efeito Tiristor em estruturas CMOS.
• Estudo teórico-experimental do transitório da corrente de dreno e do tempo de vida de geração em tecnologias SOI MOSFETs.
• Estudo Tribológico dos Pares de Atrito Em Motores Ultrasônicos
• Estudo, Projeto e Implementação de um Circuito PLL para Recuperação de Relógio em Estrutura Pré-Difundida
• Estudos sobre corrosão de materiais eletrônicos usando feixe de plasma a baixa pressão
• Etude et Conception de Micrsystemes Micro-Usine en Utilisant des Technologies Standards de Circuits Integres en Arseniure de Gallium
• Etude par photoconductivité de couches minces et puits quantiques de ZnCdSe epitaxiés par MOCVD
• Euclydes Marega Junior
• Evaluation of reactive oxygen species and photocatalytic degradation of ethylene using β-Ag2MoO4/g-C3N4 composites
• Evaluation of transport properties in poly(3-hexylthiphene) using SCLC method and controlled-overflow-transistor
• Evando Santos Araujo
• Evandro Martin Lanzoni
• Everson Martins
• Evidence of 2D intersubband scattering in thin film fully depleted silicon-on-insulator transistors operating at 4.2-K
• Experimental Assessment of Gate-Induced Drain Leakage in SOI Stacked Nanowire and Nanosheet nMOSFETs at High Temperatures
• Experimental Demonstration of Ω-Gate SOI Nanowire MOS Transistors? Mobility Variation Induced by Substrate Bias
• Fabiano Alex Colling
• Fabio Durante Pereira Alves
• Fabio Henrique Pimentel
• Fabricación y caracterización de dispositivos semiconductores para células solares
• Fabrication and Characterization of Compound Semiconductor Nanostructures
• Fabrication and Electrical Characterization of Ultra-Thin Body and BOX (UTBB) Back Enhanced SOI (BESOI) pMOSFET
• Fabricação de Células Solares MOS Utilizando Nitretação Térmica Rápida
• Fabricação de fotodetectores de radiação infravermelha baseados em poços quãnticos para detecção de gases
• Fabricação de Pontas de Tungstenio Para A Microscopia de Tunelamento
• FABRICAÇÃO DE TRANSISTOR ORGÂNICO DE EFEITO DE CAMPO SOBRE SUBSTRATO PLÁSTICO FLEXÍVEL
• Fabricação e caracterização de células solares MOS para aplicação em Energy Harvesting
• Fabricação e caracterização de diodos emissores de luz utilizando derivados de poli(para-fenilenovinileno) (PPV)
• Fabricação e caracterização de dispositivos verticais na mesma estrutura de pilar em substrato de silício.
• Fabricação e Caracterização de Sensor de Pixel Ativo com Tecnologia NMOS de Porta Metálica
• Fabricação e caracterização de termopares Cu/Cu-Ni-P obtidos por deposição eletroquímica e simulações térmicas de estruturas de termopar para radiometria.
• Fabricação e caracterização de termopares Cu/CuNixPy obtidos por deposição eletroquímica.
• Fabricação e Caracterização de Transistores HBT, MOSFET, TFET e JNT baseados em Substratos III-V com Passivação de Nitreto de Silício
• Fabricação e caracterização elétrica de capacitores MOS implantados com carbono
• Fabricação e Caracterização Elétrica de Ponteiras de Emissão de Campo Recobertas por Filme Fino DLC (Diamond Like Carbon)
• Fahim Gouveia
• Felipe de Aguiar Neves
• Felipe José Ferreira Sabino da Silva
• FELIPE LORENZO DELLA LUCIA
• Felippe Carneiro Leão
• Fenomenos de Desequilibrio Inducidos por Túnel en Estructuras Metal Oxido Semiconductor Ultradelgadas
• Fenômenos de transporte em superredes de InAs/GaAs contendo pontos quânticos
• Fernanda Pelegrini Honorato Proença
• Fernando Araujo de Castro
• Fernando JOSEPETTI FONSECA
• Fernando Lobo Vaz de Mello
• Fernando Mascagna Bittencourt Lima
• Fernando Zanella
• Filipe Gonçalves da Silva
• Filipe Marangoni
• Filmes de a-SiC:H obtido por PECVD e sua aplicação em sistemnas micro-eletro-mecânicos (MEMS)
• Filmes de Carbeto de Silício de Alto Gap Óptico Obtidos pela Técnica de PECVD
• Filmes Finos Condutores em Grafeno
• Filmes finos de pentoxido de tantalo crescidos por oxidação anodica visando suas aplicações como dieletrico de capacitores
• Filmes finos de ZnSe e ZnTe obtidos por eletrodeposição para aplicação em dispositivos fotovoltáicos
• Filmes poliméricos de PMMA e sua aplicação em sistemas opto-micro-eletro-mecânicos (MOES)
• FinFET Prototype Fabrication Using Alternative Methods
• FinFET prototype fabrication using alternative methods : Fabricação de protótipos de FinFETs usando métodos alternativos
• Flat band voltage (VFB) drift by integrated reference electrode work function in Electrolyte Insulator Semiconductor (EIS) devices
• Flavio Orlando Plentz Filho
• Flávio Bittencourt Barbosa
• Flávio Macedo Cunha
• Formação de Barreiras de TiN por RF Reactive Sputtering
• Formação de Filmes Finos de Oxinitreto de Silício (SiOxNy) por Implantação de Íons de Nitrogênio (N2+) e de Óxido Nítrico (NO+)
• Formação de Silicetos Por Deposição A Plasma
• Formação do compósito ternário g−C3N4/SnNb2O6/SnO2: explorando reações de redução
• FORMAÇÃO E CARACTERIZAÇÃO DE FILMES DE SILÍCIO AMORFO HIDROGENADO DEPOSITADO POR ECR-CVD
• FOTOCATODOS DE CU2O
• Fotodetector de infravermelho médio baseado em superrede assimétrica com um defeito estrutural com estados eletrônicos vazantes no contínuo
• Fotoeletrodos de ZnO : métodos de deposição, caracterização e aplicação em fotoeletrocatálise
• Fotomascaras e Fotogravacao Em Semicondutores.
• Fotometria e Imageamento THz de Fontes Térmicas e Não-Térmicas
• Fotorrefletância resolvida no tempo: aplicação em dinâmica de portadores em GaAs e AlGaAs
• Fotônica
• Franciele Nornberg
• Francisco Araujo Bomfim Júnior
• Francisco Diego Martins Nobre
• Francisco Pereira Junior
• Françoise Toledo Reis
• Frederico Eustáquio Guimarães Mendes
• Front and back channels coupling and transport on 28 nm FD-SOI MOSFETs down to liquid-He temperature
• Fábio André Biazetto
• Fábio Aparecido Cavarsan
• Fábio Fedrizzi Vidor
• Física das Radiações
• FÍSICA DE MATERIAIS E DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES
• GaAs based Quantum Well and Quantum Dot Compact Microlasers
• Gabriel Leonardo Nogueira.
• GEDDE - Grupo de Estudo e Desenvolvimento de Dispositivos Eletrônicos
• GEDRE - Grupo de Estudo e Desenvolvimento de Reatores Eletrônicos
• Generation of polarized spin current in heterostructures doped with magnetic impurities
• Geraldo Magela Benício Júnior
• Gerson dos Santos
• Gilliard Nardel Malheiros Silveira
• Gilson Inácio Wirth
• Giordano Bruno Crepaldi De Simone
• Giovani Baratto
• Giovani Cheuiche Pesenti
• Giovanni Alessandro Fiorentini
• Giuliano Gozzi
• Gleison Elias da Silva
• GPES - Grupo de Pesquisa em Eletroanalítica e Sensores
• Growth Characterization and Optical Modeling of Hydrogenated Silicon Thin Film Solar Cells Based on Spectroscopic Ellipsometry
• Grupo de dispositivos nanoestruturados
• Grupo de Dispositivos Optoeletrônicos Orgânicos
• Grupo de Eletromagnetismo e Comunicações
• Grupo de Estudos em Física Aplicada (GESFA)
• Grupo de Inovação em Energia e Tecnologia Industrial "GieTech"
• Grupo de Materiais e Dispositivos de Baixa Dimensionalidade
• Grupo de Microfabricação, MEMS e Microfluídica
• Grupo de Novos Materiais e Dispositivos
• Grupo de Optoeletrônica Molecular (LOEM)
• Grupo de Pesquisa e Desenvolvimento em Sistemas Embarcados - GPDSE
• Grupo de pesquisa em circuitos e dispositivos orgânicos impressos
• Grupo de Pesquisa em Eletrofiação e Aplicações Nanotecnológicas
• Grupo de Pesquisas em Microeletrônica, Antenas, Micro-ondas e Instrumentação - GMAM
• Grupo de Pesquisas em Multi Materiais - GPMM
• Grupo de Óptica, Micro e Nanofabricação de Dispositivos - GOMNDI
• Grupo do Laboratório de Eletrônica de Potência e Conversão de Energia da PUCRS - (LEPUC)
• Guilherme Baltar Crochemore
• Guilherme de Souza Braga
• Guilherme Josué Machado
• Guilherme Monteiro Torelly
• Guilherme Osvaldo Dias
• Guilherme Sombrio
• Guilherme Wellington Alves Cardoso
• Gustavo Bressan Cerochi
• Gustavo Marcati Alexandrino Alves
• Gustavo Soares Vieira
• Gustavo Vanin Bernardino de Souza
• Hamilton Costa Luis
• Hamilton Duarte Klimach
• Haroldo Arakaki
• Helder Moura Guedes
• Helder Vinicius Avanço Galeti
• Henri Ivanov Boudinov
• Henrique de Souza Medeiros
• Henrique Estanislau Maldonado Peres
• Henrique Ferreira dos Santos
• Henrique Lanza Faria Torres
• Henrique Limborço
• Henrique Patriota Alves
• Hercules Pereira Neves
• Heston Silveira
• High Frequency Physical diode Modeling operating in with Finite Elemente Method in Time Domain
• Homero Santiago Maciel
• Hugo Leandro Sousa dos Santos
• Hugo Ricardo Jimenez Grados
• Humberto Cesár Chaves Fernandes
• Humberto Xavier de Araujo
• Iannis Nicolaos Papaioannou
• Identificação por Rádiofrequência Utilizando Dispositivos a Ondas Acústicas de Superfície.
• Igor Orlando Osorio Román
• Igor Yamamoto Abe
• III-V SOLAR CELLS
• Iluminação de Estado Sólido, Economia Potencial de Energia Elétrica para o País
• Impact of Schottky contacts on p-type back enhanced SOI MOSFETs
• Impact of series resistance on the drain current variability in inversion mode and junctionless nanowire transistors
• Impacto da rotação do substrato sobre as características elétricas de FinFETs de porta tripla
• IMPACTO DA ROTAÇÃO DO SUBSTRATO SOBRE AS CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS DE TRANSISTORES FINFETS DE PORTA TRIPLA
• Impacto da Utilização da Associação Série Assimétrica de Transistores SOI nas Características Elétricas de Espelhos de Corrente
• Impacto da Utilização de Transistores GC SOI MOSFET como Espelhos de Corrente para a Obtenção de Fontes de Corrente de Alto Desempenho em Circuitos Integrados
• Implantacao de Protons em diodos de potencia para Reducao de Qrr
• Implantação Iônica de Hidrogênio em Silício Monocristalino
• Implantação Iônica de Oxigênio em Silício.
• Implantação Iônica em Si e GaAs com Doses Altas
• Implante de Prótons em Diodos de Potência para Redução de Qrr
• Implementacao de um Sistema LPCVD Vertical para Obtencao de Filmes Finos de Silício Policristalino.
• Implementação de emissores p+ com diferentes dopantes para células solares finas
• Implementação de Redes Neurais por Pulsos a partir de Sinapses Memristivas
• Implementação de sensores ópticos integrados para aplicações em análises químicas e ambientais.
• Implementação de um protótipo de AFM/STM para eletrodeposição localizada
• IMPLEMENTAÇÃO DE UM SENSOR ÓPTICO INTEGRADO DE PRESSÃO BASEADO NO INTERFERÔMETRO MACH-ZEHNDER (IMZ)
• Implementação de um Sistema LPCVD para Obtenção de Filmes Finos de Silício Policristalino
• Implementação do Modelo Analítico Contínuo Estático e Dinâmico de Nanofios Transistores MOS Sem Junções Utilizando Linguagem VERILOG-A Para Projeto de Circuitos CMOS
• Implementação e Análise de Junção Flutuante em Células Solares Industriais de Silício Tipo n
• Improved Performance of Organic Light-Emitting Transistors Enabled by Polyurethane Gate Dielectric
• In situ electron-beam-induced mechanical loading and fracture of suspended strained silicon nanowires
• Inclusão, Computação Aplicada e Sistemas Inteligentes
• Incorporação de meio de ganho óptico em cavidades optomecânicas de semicondutor
• Influence of fin width variation on the electrical characteristics of n-type junctionless nanowire transistors at high temperatures
• INFLUENCIA DO Al2O3 NO SISTEMA VARISTOR SnO2-ZnO-CoO-Nb2O5.
• Influência da concentração de POCl3 na formação do campo retrodifusor frontal de células solares base n
• Influência da Posição do Nível de Fermi Na Dopagem Planar
• INFLUÊNCIA DA TEMPERATURA NO RUÍDO DE BAIXA FREQUÊNCIA EM TRANSISTORES SOI DE CANAL GRADUAL (GC SOI) SUBMICROMÉTRICOS.
• Influência da Temperatura sobre o Desempenho Analógico da Associação Série Assimétrica de Transistores SOI MOS
• Influência da Variação Espectral da Radiação Solar em Módulos Fotovoltaicos em Centros Urbanos
• Influência das tensões mecânicas biaxiais na fotocorrente de heterojunções de Ge-Si.
• Influência de gases nobres no crescimento de diamante e de nanoestruturas de carbono pelo método de deposição quimica a partir da fase vapor
• INFLUÊNCIA DE PARÂMETROS TECNOLÓGICOS E GEOMÉTRICOS SOBRE O DESEMPENHO DE TRANSISTORES SOI DE CANAL GRADUAL
• Influência de variações dimensionais decorrentes do processo de fabricação sobre parâmetros elétricos de FinFETs
• Influência do Ataque Anisotrópico e do Processo de Queima de Pastas Metálicas em Células Solares Industriais
• INFLUÊNCIA DO LASER DE BAIXA INTENSIDADE NA REGENERAÇÃO DE GASTROCNÊMIOS SUBMETIDOS A MIONECROSE POR INJEÇÃO DO VENENO DE BOTHROPS JARARACUSSU
• Influência do material de eletrodo nas características de processo de corrosão por plasma
• Influência do Método de Síntese e da Adição de Concentrado de Terras Raras na Condutividade Iônica de Sistema Ce-Gd-Sm
• Influência do potencial de substrato sobre o ruído de baixa frequência de nanofios transistores MOS
• INFLUÊNCIA DO TiO2 SOBRE A MICROESTRUTURA E PROPRIEDADES ELÉTRICAS DO SISTEMA VARISTOR SnO2.CoO.Nb2O5.Cr2O3
• Influência do tratamento superficial e tipo de Óxido Condutor Transparente nas propriedades de PLEDs depositados sobre substratos poliméricos de baixo custo
• Influência dos parâmetros de fabricação em filmes automontados poliméricos
• Injeção e transporte de portadores em dispositivos optoeletrônicos orgânicos e inorgânicos
• Integrated Mode-locked Semiconductor Lasers
• Introdução Ao Projeto de Circuitos Integrados Digitais de Alta Velocidade Com Transistores Hemt.
• Inversor Trifásico com Barramento Pulsado de Alta Frequência Sem Capacitor Eletrolítico
• Investigation of Electrical and Optical Properties of Ion-Implanted Layers of Gallium Arsenide
• Investigation of InGaAs/InP photodiode surface passivation using epitaxial regrowth of InP via photoluminescence and photocurrent
• Investigation of Proton Bombardment Isolation in GaAs Epitaxial Structures
• Investigation of the Swelling in Ion-Implanted A3B5 Semiconductors and Solid Solutions
• Investigação da interface entre filmes dielétricos crescidos termicamente e o carbeto de silício monocristalino com potencial uso em microeletrônica
• Investigação das propriedades elétricas de cerâmicas do tipo PTC à base de titanato de bário e estrôncio
• Investigação das variáveis de síntese eletroquímica sobre as propriedades capacitoras de eletrodos de RuO2 e RuO2-WO3
• Investigação de parâmetros hiperfinos dos óxidos semicondutores SnO2 e TiO2 puros e dopados com metais de transição 3d pela espectroscopia de correlação angular gama-gama perturbada
• Investigação de propriedades e características intrínsecas de eletrodos, eletrólitos e capacitores eletroquímicos por método ab initio e dinâmica molecular clássica
• Investigação dos Processos de Crescimento Térmico de Dióxido de Silício Sobre Carbeto de Silício
• Investigação sobre formação e estabilidade termica dos filmes de silicetos de Ni e Ni(Pt) em substratos de Si (100)
• Investigação Teórica e Experimental em Dispositivos de Efeito de Campo Desenvolvidos a partir de Grafeno e Nitreto de Tântalo (TaN)
• Inés Pereyra
• Ioshiaki Doi
• Isnaldo Jose de Souza Coêlho
• Isolante de Porta com Alta Constante Dielétrica (high-k) para Tecnologia MOS
• Isolantes de Porta com Altas Constantes Dielétricas (high-k) para Tecnologia MOS.
• Isolação elétrica por implantação iônica em GaAs e AlGaAs
• Iuri Stefani Brandt
• IVAN EMILIO CHAMBOULEYRON
• Ivandro da Silva Ribeiro
• Ivo Alexandre Hümmelgen
• Jacinto Costa Damiao
• Jackeline Valendolf Nunes
• Jacobus Willibrordus Swart
• Jaione Tirapu Azpiroz
• Janaína Domingues Costa
• Jaqueline Ludvig Pinto
• Javier Francisco Ramirez Fernandez
• Jayme Kampel Setera
• Jean Albert Bodinaud
• Jean Pierre von der Weid
• Jeferson Ferreira de Deus
• Jefferson Daniel de Barros Soldera
• Jessica Colnaghi Fernandes
• Jie Yi Yao
• Jime de Souza Sampaio
• Jing Guo Zhao
• Joao Guilherme Nogueira Matias
• John Paul Hempel Lima
• Johnny José Mafra Júnior
• Jon Eskil Bendz
• Jonas Jakutis Neto
• Jong Woo Jin
• Jorge dos Santos Moraes
• Jorge Manuel Moreira dos Santos
• Jose Alexandre Diniz
• Jose Antonio Siqueira Dias
• Jose Augusto de Alencar Mendes Pereira
• Jose Eduardo Ruiz Rosero
• Jose Fernando Contadini
• Jose Francisco Sousa Bitencourt
• Jose Roberto Sbragia Senna
• Jossano Saldanha Marcuzzo
• José Antonio Rocha das Neves
• José Aparecido Silva de Queiroz
• José Augusto Padovese Peixoto
• José Carlos Araujo dos Santos
• José Edil Guimarães de Medeiros
• José Luis Gómez Cipriano
• José Mário Carneiro Vilela
• José Ricardo Alcântara
• José Roberto Casarini
• José Roberto Mialichi
• José Saraiva
• José Soares Coutinho Filho
• João Batista Floriano
• João Claudio de Brito Santos
• João Marcelo Dias Ferreira
• João Roberto do Carmo
• João Victor Bonaldo Rodrigues Rocha
• João Wagner Lopes de Oliveira
• Juliana Augusta Shoda de Carvalho
• Juliana de Almeida
• Juliane Bernardes Marcolino
• Juliano Cardoso Carvalho
• Juliano Fujioka Mologni
• Juliano Libardi
• Jun Takahashi
• Junções rasas em Si e SIMOX
• Katia Franklin Albertin Torres
• Katia Regina Akemi Sasaki
• Keth Rousbergue Maciel de Matos
• L'Entrée et Sortie des Circuits Integrés NMOS Grille Polysilicium
• Laboratório de Eletrônica, Instrumentação e Automática (LEIA)
• Laboratório de Dispositivos e Circuitos Integrados - LDCI
• Laboratório de Eletromagnetismo Computacional
• Laboratório de Fabricação e Caracterização de Nanodispositivos Semicondutores - LabDIS
• Laboratório de Materiais Aplicados e Interfaces
• Laboratório remoto em ambiente aberto com protocolo IPv6.
• LabSem
• Lambert-W function-based parameter extraction for FDSOI MOSFETs down to deep cryogenic temperatures
• Larissa Rodrigues Damiani
• Larissa Vieira Musetti
• Lars Bertil Norgren
• Leandro Augusto Zago
• Leandro Rodrigues de Souza
• Leandro Silva Rosa Rocha
• Leandro Tiago Manera
• Leda Lunardi
• Leonardo Breseghello Zoccal
• Leonardo Cabral Gontijo
• Leonardo Navarenho de Souza Fino
• Leonardo Ribeiro de Carvalho e Fonseca
• Leonardo Tadeu Boaes Mendonça
• Lesslie Katherine Guerra Jorquera
• Lester de Abreu Faria
• Letícia Maria de Oliveira
• LEV - Engenharia Virtual
• Ligas Microcristalinas de Carbono Silicio depositadas pela Tecnica PECVD
• Lilian Marques Silva
• Liliane Lelis de Oliveira
• Limitação da Corrente de Curto-Circuito através de Dispositivos Supercondutores
• Lisan Marcos Marques Durão
• Litografia por elétrons de baixa energia com resiste de amplificação química
• Litografia por Feixe de Elétrons na Fabricação de Nanoestruturas para Nanosensores e Nanodispositivos
• LME - Laboratório de Microeletrônica da UTFPR
• Long-term environmental stability of nitrogen-healed black phosphorus
• Low-Cost Control and Measurement Circuit for the Implementation of Single Element Heat Dissipation Soil Water Matric Potential Sensor Based on a SnSe2 Thermosensitive Resistor
• Low-Frequency Noise Characterization of Germanium n-Channel FinFETs
• Low-Frequency Noise in Vertically Stacked Si n-Channel Nanosheet FETs
• LOW-POWER SUB-1V BANDGAP VOLTAGE REFERENCE CIRCUITS HARDENED BY DESIGN IN CONVENTIONAL CMOS TECHNOLOGY
• LSI - Grupo de Superfícies, Interfaces e Deposição Eletroquímica (GSIDE)
• Lucas Antonio Cunha Lima
• Lucas Compassi Severo
• Lucas de Oliveira
• Lucas Gonçalves Dias Mendonça
• Lucas Petersen Barbosa Lima
• Luciana Kazumi Hanamoto
• Luciano Mendes Camillo
• Lucila Helena Deliesposte Cescato
• Lucio Cesar de Almeida
• Luis Alberto Mijam Barea
• Luis da Silva Zambom
• Luiz Alberto Castro de Almeida
• Luiz Antonio Pereira dos Santos
• Luiz Felipe Plaça Vargas
• Luiz Fernando Ribeiro Pereira
• Luiz Henrique Dall'Antonia
• Luiz Sérgio Zasnicoff
• Lukas Andreas Mayr
• Luís Antônio de Medeiros Dalbem
• Luís Felipe Uebel
• LUÍZ GUSTAVO SIMÃO ALBANO
• Lésnir Ferreira Porto
• Lílian de Oliveira de Antoni
• Manoel Cesar Valente Lopes
• Manuel Cid Sánchez
• Marcelo Antônio Pavanello
• Marcelo Assaoka Hayashi
• Marcelo Bariatto Andrade Fontes
• Marcelo Carvalho Tosin
• Marcelo de Assis
• Marcelo de Jesus Rangel Monteiro
• Marcelo de Paula Campos
• Marcelo Fukui
• Marcelo Gomes Rua
• MARCELO MULATO
• Marcelo Nelson Paez Carreño
• Marcelo Nogueira Tirolli
• Marcelo Ornaghi Orlandi
• Marcelo Rizzo Piton
• Marcelo Valadares de Magalhães Pereira
• Marcia da Silva Pereira
• Marcio Dalla Valle Martino
• Marcio Tarozzo Biasoli
• Marco Antonio Robert Alves
• Marcos Antônio da Silva Eleotério
• Marcos Augusto de Goes
• Marcos Aurelio Izumida Martins
• Marcos Filardy Curi
• Marcos José Leite Santos
• Marcos Norio Watanabe
• Marcos Paulo Ferreira de Assunção
• Marcus Antonio de Lima Dantas
• Marcus Vinicius Baeta Moreira
• Marcus Vinicius Batistuta
• Marcílio de Paiva Onofre Filho
• Margareth Kazuyo Kobayashi Dias Franco
• Maria Beny Pinto Zakia
• Maria Bernadete de Morais França
• Maria del Pilar Hidalgo Falla
• Mariana Amorim Fraga
• Marina Sparvoli de Medeiros
• Marina Storani de Almeida
• Mario Eduardo de Barros Gomes e Nunes da Silva
• Mario Godinho Junior
• Materiais Condutores Não Convencionais
• Materiais e Processos de Dispositivos Eletrônicos
• Materiais e processos para aplicação em células fotovoltaicas de silício
• Materiais Polim¿ricos Nanoestruturados - (MPNan)
• Mateus Gallucci Masteghin
• Matheus Coelho Adam
• Matthias Roos
• Mauricio Massazumi Oka
• Mauricio Oscar Pérez Lisboa
• Mauricio Pamplona Pires
• Mauricio Veloso Brant Pinheiro
• Mauro Guaracy Lins
• Maurício Banaszeski da Silva
• Maurício de Sousa Pereira
• Mayra Alexandra Padrón Gómez
• Medidor de dose de ions implantados
• Medidores de energia
• Mehdi Dehghan
• Melhoria de processos pelo levantamento de indicadores ambientais via software.
• MELHORIAS EM MODELOS DE TRANSPORTE ELETR^ONICO DE QWIPS
• MELHORIAS EM MODELOS DE TRANSPORTE ELETRÔNICO DE QWIPS
• Memórias Orgânicas Baseadas em Esferas de Carbono e Transistores de Efeito de Campo Orgânicos de Baixa Tensão de Operação
• Mesoscopic Phenomena in Nanometer Scale MOS Devices
• METAL GATE WORK FUNCTION ENGINEERING FOR FUTURE CMOS TECHNOLOGY NODES
• Metodologia de Projeto para Amplificadores de Baixo Ruído em CMOS
• Metodologia para análise, caracterização e simulação de células fotovoltaicas
• Michel Gaglioni Rocha
• Michel Oliveira da Silva Dantas
• Michelly de Souza
• Microbolômetros Resistivos em Membrana Suspensa.
• Microeletronica e Microsistemas
• Microeletrônica
• MICROELETRÔNICA E DISPOSITIVOS ELETRO-ÓPTICOS
• Microestruturas para Sensores e Atuadores do Laboratório de Sistemas Integráveis
• Microestruturas Poliméricas de PMMA e sua Aplicação em Sistemas Micro - Optoeletromecânicos
• Microestruturas à base de materiais crescidos por PECVD
• Microfabricated Negative Electron Affinity, Addressable-Array GaAs Cathodes
• Microfabricação à base de materiais crescidos por PECVD
• Microscanner de Silício
• Microssensor de Vazão Implementado em Silício
• MICROSTRUCTURAL STUDIES OF IN2O3 AND SN:IN2O3 (ITO) THIN FILMS FOR SOLAR ENERGY APPLICATIONS
• Miguel Tayar Galante
• Milene Galeti
• Milton Andre Tumelero
• MODELAGEM ANALÍTICA DE TRANSISTORES SOI DE CANAl GRADUAL COM PORTA DUPLA
• Modelagem de corrente de escuro em dispositivos fotodetectores baseados em poços quânticos
• Modelagem de corrente de escuro em dispositivos fotodetectores baseados em poços quânticos / Dark current modelling for QWIP devices
• Modelagem de heteroestruturas semicondutoras / Modelling of semiconductor heterostructures
• Modelagem De Nanofios Transistores MOS Sem Junções
• MODELAGEM DE NANOFIOS TRANSISTORES MOS SEM JUNÇÕES DE PORTA DUPLA E TRIPLA.
• Modelagem de Transistores de Efeito de Campo MOS de Enriquecimento: Um Estado da Arte
• Modelagem de um Acelerômetro de Estado Sólido
• Modelagem e Estimação Paramétrica de Geradores Fotovoltaicos
• Modelagem e Simulação de um Microacelerômetro Capacitivo
• Modelagem Matemática de varistores de Óxido de Zinco
• Modelagem, Simulação e Caracterização Elétrica da Associação Série Assimétrica de Transistores SOI
• MODELAGEM, SIMULAÇÃO E FABRICAÇÃO DE CIRCUITOS ANALÓGICOS COM ASSOCIAÇÃO SÉRIE ASSIMÉTRICA DE TRANSISTORES SOI
• Modelagem, simulação e fabricação de circuitos analógicos com transistores SOI convencionais e de canal gradual operando em temperaturas criogênicas.
• Modelamento computacional do comportamento de células fotovoltaicas baseado nas propriedades físicas dos materiais
• Modelling and numerical simulation of mesoscopic semiconductor optoelectronic devices
• MODELLING OF ULTRA-SMALL SCALE MICROWAVE TRANSISTOR STRUCTURES
• Modelo analítico de comutação do transistor de alta mobilidade eletrônica HEMT
• MODELO ANALÍTICO DE RESISTÊNCIA PARASITÁRIA PARA FINFETS DE PORTA DUPLA.
• Modelo Clássico para a simulação de dispositivos semicondutores aplicado a MESFETs
• Modelo de Controle de Carga para HEMTs
• MODELO DE KRONIG-PENNY TRIDIMENSIONAL
• MODELO DO DESCASAMENTO (MISMATCH) ENTRE TRANSISTORES MOS
• Modelo para projeção de custo e capacidade para testes de semicondutores
• Modelos analíticos para efeitos de canal curto em transistores de porta dupla simétricos e assimétricos
• MODIFICAÇÃO NAS PROPRIEDADES ELETRÔNICAS DOS NANOTUBOS BXCYNZ ATRAVÉS DA DOPAGEM COM ÁTOMOS DE CARBONO: PROPOSTA DO USO COMO SENSOR DE HF
• Moduladores de Eletro-Absorção Integrados com Materiais Bidimensionais
• Modélisation physique et compacte de transistors en couches minces à base de silicium amorphe ou microcristallin
• Monolithic Colliding Pulse Mode-locked Quantum Well Lasers.
• MOVIMENTO CONTROLADO DE MICROESTRUTURAS DE a-SIC:H OBTIDO POR PECVD
• MOVPE growth of InP-based III-V compounds doped with transition metals (Fe,Mn)
• Murilo Araujo Romero
• Murilo Trindade de Oliveira
• Mylena Pinto Nascimento
• Márcio Alves Sodré de Souza
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• Módulos elêtricos para a caracterização elétricas de EGFETs como sensores de pH
• Músculos Artificiais baseados em polímeros eletroativos aplicados à robótica de reabilitação
• Nadja Karolina Leonel Wiziack
• Nair Stem
• Nano-oxidação do silício utilizando sonda de AFM.
• Nano-oxidação do silício utilizando sondas de AFM
• Nanodispositivos Eletrônicos
• Nanotecnologia aplicada e Aplicações de filmes finos
• Nanotecnologia Computacional e Nanocomputação
• Nanotecnologia e Química Computacional
• NATASHA GRUGINSKIE
• Natália de Faria Coutinho
• Natália Feijó Lopes
• Natália Kazumi Gushiken
• Neisy Amparo Escobar ForhamEscola Politécnica
• Nelmo Cyriaco da Silva
• Nelson Liebentritt de Almeida Braga
• Nelson Veissid
• Nelson Zornitta
• Newton Adriano dos Santos Gomes
• Newton Cesário Frateschi
• NH$_{4}$OH-B Silicon Texturing of Periodic V-Groove Channels, Upright, and Inverted Pyramids Structures
• Nicolau Molina Bom
• Nikolai Romanov
• Nilton Itiro Morimoto
• Nitreto de silício depositado por sputtering reativo para aplicação em memória não-volátil
• Nivaldo Vicençotto Serran
• Non-linear Raman shift-stress behavior in top-down fabricated highly strained silicon nanowires
• Nova Tecnologia de Obtenção de Feixe de Ínos de Érbio com Implantador de Média Corrente Utilizado em Microeletrônica
• NOVEL MATERIALS AND MANUFACTURING PROCESSES FOR FLEXIBLE PEROVSKITE SOLAR CELLS
• Novos Métodos para a Determinação de Parâmetros da Tecnologia SOI Através de Capacitores
• Nuevos dispositivos para aplicaciones de espintrónica
• Numerical Extraction of Metal-Oxide-Semiconductor Doping Profiles from Capacitance-Voltage Measurements
• Numerical Methods for Semiconductor Device Equations
• Núcleo de Tecnologia em Energia Solar - NT-Solar
• O BCCD: Estudo teórico experimental e desenvolvimento de um processo de fabricação
• O EFEITO DA QUANTIDADE DE FOSFORO NA INTERDIFUSAO E NA EFICIENCIA DE CONTATOS ENTRE ALUMINIO E SILICIO POLICRISTALINO.
• O mestrado no Caltech nao inclui tese, apenas trabalhos acadêmicos e/ou dirigidos)
• O SILÍCIO AMORFO HIDROGENADO DEPOSITADO POR ECR-CVD PARA A DEFINIÇÃO DE NANOFIOS DE SEMICONDUTORES
• Observação Direta de Defeitos Causados por Corte com Serra de Diamante em Diodos Semicondutores de potência Utilizando EBIC
• OBTENCAO DE FILMES DE NITRETO DE SILICIO POR DEPOSICAO QUIMICA ASSISTIDA POR PLASMA ACOPLADO INDUTIVAMENTE
• Obtencao e caracterizacao de monocristais de InSb pelo metodo Czochralski
• Obtenção da Rugosidade Rms de Superfíces Recobertas Com Ouro e Alumínio Utilizando A Técnica de Espalhamento de Luz Laser Hene
• Obtenção de contatos rasos de mono-siliceto de níquel visando a fabricação de circuitos integrados MOS
• OBTENÇÃO DE FILME PARA DETERMINAÇÃO DE UMIDADE E PROTEÇÃO CONTRA RADIAÇÃO ULTRAVIOLETA
• Obtenção de filmes de nitreto de silício por deposição química assistida por plasma acoplado indutivamente
• Obtenção de Filmes de Sn02 com Técnicas de Baixo Custo para Aplicações em Sensores
• OBTENÇÃO DE FILMES FINOS E ULTRA-FINOS DE ÓXIDO E DE OXINITRETO DE SILÍCIO EXECUATADA POR UM SISTEMA HOME-MADE DE PLASMA REMOTO COM GERADOR DE MICRO-ONDAS
• Obtenção de ligas AuxSny Utilizando Deposição Eletroquímica
• Obtenção de microestruturas de Si utilizando a tecnologia do silício poroso como camada sacrificial
• Obtenção de Oxinitretos de Porta por Processamento Térmico Rápido Visando a Fabricação de Circuitos Integrados MOSD
• Obtenção de silício amorfo por pulverização catódica RF
• Obtenção de uma técnica de fabricação de diodos retificadores
• Obtenção de óxido ternários AlTixOy recobertos por TiN para estruturas MOS
• Obtenção de óxidos de porta MOS ultrafinos: Influência da limpeza química e estudo da ruptura dielétrica
• Obtenção e Análise do Ruído de Baixa Frequência em Transistores SOI MOSFET de Canal Gradual
• Obtenção e Caracterização de capacitores MOS com porta de policeto e submetidos a etapas de RTP
• Obtenção e caracterização de filmes de WO3 para utilização em dispositivos eletrocrômicos
• OBTENÇÃO E CARACTERIZAÇÃO DE FILMES FINOS DE NITRETO DE CARBONO UTILIZANDO A TÉCNICA PECVD
• OBTENÇÃO E CARACTERIZAÇÃO DE FILMES FINOS DE ÓXIDO, NITRETO E OXINITRETO DE SILÍCIO POR DEPOSIÇÃO ECR-CVD
• Obtenção e caracterização de filmes finos e ultra-finos de oxido e oxinitreto de silicio em sistema "home-made" de plasma remoto
• Obtenção e caracterização de filtros Fabry-Perot para aplicação em aquisição de imagens de diferença de polarização.
• Omar Barbosa Campos
• On the Application of Junctionless Nanowire Transistors in Basic Analog Building Blocks
• On the compact modelling of Si nanowire and Si nanosheet MOSFETs
• On the conductivity of PEDOT:PSS
• On the conductivity of PEDOT:PSS thin films
• On the Elastic Properties and Fracture Patterns of MoX2 (X = S, Se, Te) Membranes: A Reactive Molecular Dynamics Study
• On the electronic structure of a recently synthesized graphene-like BCN monolayer from bis-BN cyclohexane with single-atom vacancies: a DFT study
• On the Thermomechanical Properties and Fracture Patterns of the Novel Nonbenzenoid Carbon Allotrope (Biphenylene Network): A Reactive Molecular Dynamics Study
• One-pot synthesis of silver nanowires/polypyrrole nanocomposites
• Ootimização de diodo tunel para células solares de múltiplas junções
• OPERAÇÃO ANALÓGICA DE TRANSISTORES DE MÚLTIPLAS PORTAS EM AMBIENTES CRIOGÊNICOS
• OPERAÇÃO CRIOGÊNICA DE TRANSISTORES SOI-MOS SOB A AÇÃO DE TENSÃO MECÂNICA UNIAXIAL NO CANAL.
• OptELO - Grupo de Optoeletrônica Orgânica
• OPTICAL AND DISPERSION FORCES IN SILICON NANO-OPTOMECHANICAL DEVICES
• Optical Properties of AIIIBV Semiconductors as result of Ion Implantation and Annealing
• Optical Properties of Ion-Implanted A3B5 Semiconductors (Gallium Arsenide)
• Optimización de diodos PIN usando técnicas estadísticas.
• Optimization of a nanoribbon charge-based biosensor using gateless BESOI pMOSFET structure
• Organic Electronics from Nature: Computational Investigation of the Electronic and Optical Properties of the Isomers of Bixin and Norbixin Present in the Achiote Seeds
• Organic memory transistors with a polymer ferro-electric gate dielectric.
• Organic-Inorganic Perovskite Silicon/Perovskite Solar Cells
• Otimizacao da deposicao de titanio e cobalto por espirramento catodico visando a formacao de siliceto
• Otimização das regiões altamente dopadas de células solares bifaciais base n e análise da passivação
• Otimização das Regiões Altamente Dopadas de Células Solares Fabricadas por Processos Térmicos Rápidos
• Otimização de junção de topo de InGaP em células solares de junção tripla para aplicação espacial
• Otimização do Emissor n+ e da Metalização por Deposição Química para Células Solares Industriais
• Otimização do Processo de Montagem de Cartão Eletrônico Inteligente com o CI NXP MIFARE 1K FCP2
• Otimização e comparação de processos para formação do campo retrodifusor com boro em células solares
• Otimização e Desenvolvimento de Células Solares Industriais em Substrato de Silício Multicristalino
• Otimização por simulação e desenvolvimento de células solares com emissor posterior formado por pasta de alumínio e difusão em forno de esteira
• Otto Aureliano Rolloff
• Oxidação seletiva do silício em baixas temperaturas
• Oxidação Térmica Rápida do Silicio: Influência dos Procedimentos de Limpeza e dos Perfis Temporais de Temperatura na Qualidade dos Óxidos de Porta MOS
• P-N Junction Formation in High-Purity Germanium by Ion Implantation
• PASSIVAÇÃO À VIDRO DE JUNÇÕES SEMICONDUTORAS EM DISPOSITIVOS DE POTÊNCIA
• Passive Strain Sensor for Residual Stress Determination in the Integrated Circuit Interconnects: Design, Fabrication, Testing and Calibration
• Patricia Ribeiro Rhoden Barcellos
• Patrick Bernard Verdonck
• Patrícia Lustoza de Souza
• Paula Andreia Petrini
• Paula Ghedini der Agopian
• Paula Simões Casagrande
• Paulo Cesar Ramalho Brandao
• Paulo Cezar Barbosa
• Paulo César Crepaldi
• Paulo César Miranda Machado
• Paulo de Tarso Paixao Lopes
• Paulo Eduardo Lima
• Paulo Roberto Lima Martins
• Paulo Zambrozi Junior
• Pedro Campos Assunção
• Pedro Carvalhaes Dias
• Pedro Henrique Pereira
• Pedro Henrique Suman
• Pedro Iris Paulin Filho
• Pedro Paulo Levi Mateus Canazio
• Pedro Ricardo Barbaroto
• Peliculas de Dioxido de Estanho. Obtencao, Caracterizacao e Aplicacao Como Contatos Transparentes e Como Camadas Anti-Refletoras Em Celulas Solares.
• Películas de Si-a: H, Construção de um Reator PECVD - Estudo de Técnicas de Deposição e Caracterização de Películas
• Películas de Silício Microcristalino Hidrogenado Depositadas a Baixa Temperatura pela Técnica PECVD
• Películas de Silício Microcristalino Hidrogenado. Um Estudo de Desenvolvimento de sua Obtenção por Processo CVD Assistido por Plasma
• Performance and Analysis of n-Type Vertically Stacked Nanowires Regarding Harmonic Distortion
• Performance and Degradation Analysis of Operating PV Systems
• Performance and Low-Frequency Noise of 22-nm FDSOI Down to 4.2 K for Cryogenic Applications
• Performance of SOI Ω-Gate Nanowires from Cryogenic to High Temperatures
• Perovskitas de SrTaO2N para produção fotocatalítica de H2
• Peter Andrew Levermore
• Peter Lubomir Polak
• Photocatalytic discoloration of methylene blue by TiO2 P25 under UV light using ISO 10678 standard as a guide
• Photoluminecence of the CaMoO4, MgTiO3 and β-ZnMoO4: an theoretical study
• Physical Modelling of Infrared Semiconductor Photodiodes
• Physicochemical interactions between polyaniline and graphene oxide: the reasons for the stability of their chemical structure and thermal properties
• Physics and Sensor Applications of Si and SiC Devices
• Pietro Maris Ferreira
• Piezoresistive Sensor Based on Micrographite-Glass Thick Films
• Polaron Diffusion in Pentathienoacene Crystals
• Polaron transport in porous graphene nanoribbons
• Pragmatic evaluation of fin height and fin width combined variation impact on the performance of junctionless transistors
• Preparación y caracterización de varistores cerámicos basados en SnO2
• Preparação de dispositivos eletroluminescentes baseados em materiais poliméricos
• Preparação de materiais por ablação laser em ambiente líquido.
• PREPARAÇÃO E CARACTERIZAÇÃO DE FILMES FINOS DE POLI(P-FENILENO VINILENO) COM VISTAS A PLEDs
• Preparação e caracterização estrutural e elétrica de células solares sensibilizadas por corantes empregando anodos nanoestruturados à base de TiO2
• Previsão da taxa de falhas de circuitos integrados lineares monolíticos em regime discreto ("on-off") de peração
• Process Oxygen Flow Influence on the Structural Properties of Thin Films Obtained by Co-Sputtering of (TeO2)x-ZnO and Au onto Si Substrates
• Processamento de Sinais Analógicos Amostrados Utilizando Técnicas de Chaveamento a Capacitor e a Corrente Aplicados a Conversão A-D Sigma Delta
• Processamento de Sinais Analógicos Amostrados Utilizando Técnicas de Chaveamento a Capacitor e a Corrente Aplicados à Conversão AD SIGMA DELTA.
• Processamento e Caracterização de Materiais Fotovoltaicos
• Processo de Fabricação de Células Solares Bifaciais em Fornos de Aquecimento Rápido
• Processo de Fabricação de Diodo Schottky de Potência
• Processo de Fabricação de HBT em Camadas de INGAP/GAAS.
• Processos Alternativos para Micro e Nanotecnologia
• Processos Alternativos para Micro e Nanotecnologias
• Processos de Fabricação de Células Solares Bifaciais em Fornos de Aquecimento Rápido
• Processos e Mecanismos de Corrosão por Plasma de Filmes de Si e de Si3N4
• Processos termicos rapidos RTO / RTA para fabricação de dispositivos MOS
• Produção de Filmes Finos de Sulfeto de Cádmio por Paredes Quentes
• Produção de Heterojunções de Polianilina/Silício e Nanofibras de Polianilina para Aplicações em Dispositivos Híbridos
• PRODUÇÃO DE NOVOS FILMES PARA DETECÇÃO DE POLUENTES
• Produção do Black TiO2 Puro e Dopado com Metais de Transição por Meio de Processos a Plasma e Tratamentos Térmicos: Investigação do Potencial Fotocatalítico
• Produção e caracterização de células fotovoltaicas de silício nano-estruturado produzido por plasma de 27,12 MHz
• Produção e Caracterização de Material Semicondutor a base de Sb, Te e Al
• Produção e caracterização de multicamadas de dimensões nanométricas de filmes a base de silício
• Prof. Dr. Joao Francisco Justo Filho
• Prof. Dr. Wilson José da Silva
• Projeto de Amplificadores com Realimentação em Corrente Utilizando Tecnologia 0.35um CMOS
• Projeto de Amplificadores Operacionais CMOS Classe-AB Operando em Baixa Tensão de Alimentação
• Projeto de Caracterização de Um Modulador Sigma Delta Com 5ghz de Taxa de Amostragem Com Dispositivos Hemt de Ingaas/Ingap.
• Projeto de Circuitos para Compressão de Imagens no Plano Focal de Câmeras CMOS
• Projeto de dispositivo supressor de surto de tensão
• Projeto de Misturador com Topologia de Célula de Gilbert Utilizando PHEMT
• Projeto de um Amplificador de Baixo Ruído (LNA) em 900MHZ em CMOS de 0,35um para Transceptores CDMA
• Projeto de um amplificador de potência de radiofrequência reconfigurável em tecnologia CMOS
• Projeto de um Amplificador de Potência de RF Operando a 836,5 MHz em Tecnologia CMOS de 0,35µm para Aplicação em um Transceptor Wireless de Espalhamento Espectral
• PROJETO DE UM CIRCUITO INTEGRADO AMPLIFICADOR DE INSTRUMENTAÇÃO PARA SINAIS BIOMÉDICOS
• Projeto de uma tecnologia de fabricação de MESFETs para circuitos integrados em GaAs
• Projeto e Construção de um Forno para Processamento de Células Solares
• Projeto e construção de um laser de vapor metalico de mercurio
• Projeto e construção de um sistema para fusão zonal horizontal e sua aplicação no crescimento e purificação de monocristais de germânio
• Projeto e Fabricação de Nano-estruturas por Litografia Interferométrica
• Projeto e Fabricção de HBT´s
• Projeto e implementação de um oscilador monolítico a 2,4 GHz em tecnologia CMOS 0,35µm
• Projeto e implementação de uma memória de acesso direto estática de 64 bits empregando uma tecnologia nMOS simples com carga em depleção e porta de silício policristalino
• Projeto e Medidas de um Amplificador de Baixo Ruído (LNA) Monolítico para 1.9 GHz com a Tecnologia PHEMT em GaAs um
• Projeto em Sistemas Mecânicos, Mecatrônica e Robótica
• Projeto, confeccao e caracterizacao de equipamento para obtencao de camadas anti-reflectivas para celulas solares
• Projeto, Fabricação e Caracterização de uma Matriz de Portas C2L
• Projeto, Fabricação e Caracterização Elétrica de uma Nova Estrutura para o SOI MOSFET
• Projeto, Microfabricação e Caracterização de Deflector de Luz de Silício Acionado por Indução
• Projeto, Otimização, Simulação e Predição de Propriedades de Nanoestruturas através de Técnicas da Inteligência Computacional: Nanotecnologia Computacional Inteligente
• Proposta de Implementação de Membranas Em Sensores de Pressão A Elementos Piezoresistivos Utilizando A Tecnica de Pos Processamento.
• Proposta de uma sequência simples de fabricação de circuitos integrados digitais NMOS com carga em depleção e porta de silício policristalino.
• Propostas de melhorias de desempenho de células de memória dinamica utilizando um único transistor UTBOX SOI
• Propriedades de Transporte Elétrico no Composto Semicondutor Pb1-xSnxTe na Região de Inversão de Bandas
• Propriedades e aplicações de Si e SiC poroso
• Propriedades eletrônico-estruturais de discordâncias cristalinas em semicondutores
• Propriedades Elétricas de Blendas Moleculares de 4,7-bis(piridina-2-iletinil)-2,1,3-benzotiadiazol e tris-(8-hidróxido quinolina) alumínio
• PROPRIEDADES ELÉTRICAS DE PELÍCULAS FINAS DE LIGAS DE SILÍCIO MICROCRISTALINO HIDROGENADAS DEPOSITADAS A BAIXAS TEMPERATURAS
• Propriedades Elétricas e Microestruturais de Semicondutores de CaCu3Ti4O12
• Propriedades Fisico-químicas e Características Elétricas de Estruturas Dielétrico/SiC
• Propriedades Fundamentais dos Dispositivos Quânticos de Tunelamento Ressonante (QRT)
• Propriedades físicas das camadas de silício poroso com deposição de PANI dopada com Érbio
• Propriedades físicas de ligas semicondutoras de nitretos do grupo III e de semicondutores magnéticos (III,MT)V.
• Propriedades Relacionadas Às Vacâncias De Cu Em Filmes Eletrodepositados De Cu2o E Emissão De Pares Pósitron-Elétron Correlacionados De Superfícies
• Propriedades Temomecânicas de filmes finos de a-SiC:H e SiOxNy e desenvolvimento de MEMS
• Propriedades ópticas de pontos quânticos de InAs em membranas semicondutoras
• Propriedades Ópticas e Elétricas de Nanoestruturas de Silício.
• Prorpiedades luminescentes do carbono poroso e silício poroso
• Qu Fanyao
• Quantum Dots and Gd3+ Chelates: Advances and Challenges Towards Bimodal Nanoprobes for Magnetic Resonance and Optical Imaging
• Quantum transport in Metal-Carbon-Nanotube Junction under Static and Dynamical Excitation
• Rafael Assalti
• Rafael Furlan de Oliveira
• Rafael Navarenho de Souza
• Rafael Rodrigues de Queiroz Freitas
• Rafael Rodrigues Pereira Soares
• Rafael Tambara Blumer
• Rafael Vinicius Tayette da Nobrega
• Rafael Witter Dias Pais
• Raquel Sanguiné Fagundes
• Reatores miniaturizados para pré-tratamento de amostras para remoção de compostos orgânicos voláteis.
• Rebeca dos Santos de Moura
• Recent development on Ag2MoO4-based advanced oxidation processes: a review
• Reconfigurable SOI-MOSFET: Past, Present and Future Applications
• Redes neurais artificiais aplicadas à otimização de processos de deposição de filmes finos poliméricos.
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• Regina Célia Barbosa de Oliveira
• Regis Eugenio dos Santos
• Reinaldo Silveira
• Renan Hermógenes Furlan
• Renato Camargo Giacomini
• Renato Guedes Pires
• Renato Papaléo
• Renato Perez Ribas
• René Pastor Torrico Bascopé, Dr.
• Renê Moreno Timbó
• Renê Togni Del Pietro
• Research of Semi-Conducting Multistable Dipolar Structures and Development of Multivalued Elemental Base
• Research on formation of ultra shallow junction by ultra clean ion implantation
• Resonant and Nonresonant All-Optical Switching Devices in GaAs/AlGaAs
• Resonant Tunneling Diode Modulators
• Resposta espectral de células fotovoltaicas em condições reais de operação
• Retenção de Compostos Orgânicos em Microcanais Modificados por Filmes Adsorventes
• Revealing Exciton and Metal-Ligand Conduction Band Charge Transfer Absorption Spectra in Cu-Zn-In-S Nanocrystals
• Revisão sistemática de células solares de silício base n: estruturas e eficiências
• Ricardo Aparecido Rodrigues de Oliveira
• Ricardo Cotrin Teixeira
• Ricardo Cunha Gonçalves da Silva
• Ricardo de Andrade
• Ricardo Estefani França Rocha
• Ricardo Guerra Pereira
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• Ricardo Marzullo de Britto
• Ricardo Nascimento Pombo do Amaral
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• Ricardo Toshinori Yoshioka
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• Roberto da Rocha Lima
• Roberto de Aguiar Ramos Junior
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• Rodrigo Trevisoli Doria
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• Semiconductor Device Characterization
• Semicondutores de precursores lamelares: síntese, caracterização e atividade fotocatalítica
• Sensor de pressão microeletromecânico com fonte de referência em tensão
• Sensor de Pressão Microeletrônico Baseado no Efeito Piezomos.
• Sensor de Umidade Microeletrônico baseado em Capacitor com Dielétrico Higroscópico
• Sensor Hall de GaAs por Implantação de Íons
• Sensores de Filme Espesso e Sua Utilização Para Sinais Mecanicos.
• Sensores de Infravermelho
• Sensores para Monitoramento de Processos
• Sensores Químicos baseados em Compósitos de Nanotubos de Carbono
• Sensores térmicos e termopilhas
• Sensores ópticos químicos integrados utilizando os processos convencionais de microeletrônica.
• Sergio Gutierrez Escobar
• Signal to noise ratio in nanoscale bioFETs
• SILICIUM MULTICRISTALLIN DE TYPE N POUR LA FABRICATION DE CELLULES SOLAIRES A RENDEMENT DE CONVERSION ELEVE
• Silicon Micro-Channel Definition via ICP-RIE Plasma Etching Process Using Different Aluminum Hardmasks
• Silicon Nanowire Technologies : brief review, home-made solutions and futuretrends
• Silvana Gasparotto de Souza
• Silício Poroso para Aplicações em Sensores e Microssistemas
• Silício Poroso: Estudo de Estruturas e Fotoluminescência para possíveis aplicação em sensores
• Simone Camargo Trippe
• Simulation of Impurity Compensation in GaAs Monocrystals
• Simulação analítica de espelhos de corrente utilizando associação série de transistores SOI MOSFET
• Simulação de Dispositivos SOI MOSFET Utilizando SPICE
• Simulação de Dispositivos SOI MOSFETs utilizando SPICE
• Simulação de Painéis Fotovoltaicos - Uma abordagem baseada na condição específica de cada célula
• Simulação de plasmas por programa Particle In Cell Monte Carlo Collision
• Simulação de transistores spintrônicos, materiais semicondutores e pontos quânticos
• Simulação e caracterização de Diodos Controlados por Porta visando a construção de sensores de radiação luminosa
• Simulação e Caracterização de Diodos Controlados por Porta Visando a Fabricação de Sensores de Radiação Luminosa
• Simulação e Caracterização Elétrica de Diodos de Ultra Baixa Potência Implementados em Tecnologia SOI
• Simulação e Caracterização Elétrica de Dispositivos Fotossensores Implementados em Tecnologia SOI
• Simulação numérica unidimensional de células solares MOS
• Sintese de termistores a base de CuO-Al2O3 por processos de precipitação
• SINTESE E CARACTERIZACAO DE DIAMANTES PELO METODO CVD E SUA APLICACAO EM DISPOSITIVOS ELETRONICOS
• Sintese e caracterização do silicio poroso e de novos revestimentos luminescentes
• Sistema de controle do comprimento de onda central de diodos emissores de luz para estabilização de giroscópios à fibra óptica.
• Sistema de iluminação externa de emergência em aeronaves regionais: análise do uso de diodos emissores de luz (LEDs)
• Sistema de medida baseado em ISFET'S para determinação de ácidos e bases em soluções aquosas
• Sistema de Medida Baseado Em Isfets (Ion Sensitive Field Effect Transistor) Para Determinacao de Acidos e Bases Em Solucoes Aquosas.
• Sistema de Predição de Crises Epilépticas Baseado na Dinâmica da RegulaçãoAutonômica Cardíaca Empregando Circuito Integrado para Aquisição eDetecção de Batimentos Cardíacos
• Sistema de spray pirólise com movimento horizontal microcontrolado para deposição de filmes finos de TiO2.
• Sistema de Telemetria e Pre-processamento de dados de sensores
• Sistema híbrido de armazenamento de energia para aplicação em veículos elétricos
• SISTEMA INTEGRADO DE BAIXO CONSUMO PARA AQUISIÇÃO DE INTERVALOS RR EM ECG
• Sistema inteligente para identificar gases
• Sistema para desenvolvimento de sensores inteligentes
• Sistemas de Microcanais em vidro para aplicações em microfluídica
• Sistemas Auto-Organizados para Aplicação em Cristais Fotônicos
• Sistemas Eletrônicos Integrados: Dispositivos, Atuadores e Sensores
• SISTEMAS ÓPTICOS E MICRO ONDAS
• Softwares de Controle para o Processamento de Materiais e Dispositivos por Laser Ultravioleta
• Solda Direta para Obtenção de Lâminas SOI com Tecnologia "SMART CUT"
• Solda Eletrostática por camada intermediária de vidro
• SPRAY PIRÓLISE DE FILMES DE ÓXIDO DE ZINCO DOPADO COM ALUMÍNIO E ESTANHO
• Stanislav A. Moshkalev
• Statistical and Electrical Modeling of FDSOI Four-Gate Qubit MOS Devices at Room Temperature
• Stefan Michael Blawid
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• Structural and optical properties of n-type and p-type GaAs (1−x) Bi x thin films grown by molecular beam epitaxy on (311)B GaAs substrates
• Studies of the preparation and the optical properties of a-Si: H Thin films
• Study of -- SOI MOSFET Reconfigurable Transistor for Biosensing Application
• Study of a Charge-Based Biosensor and Reconfigurability using BE SOI MOSFET
• Study of reaction conditions and substrate for the development of flexible antennas by the electroless method
• Study of the Hysteretic Behavior in ZnO Nanoparticle Thin-Film Transitors
• Study on a-Si: H thin film transistors
• Study on the Structure and Electrical Properties of Nb-Doped PbTiO3 Thin Films by Reactive Sputtering.
• SU-8 processing improvement and simulating studies for a Micromegas detector fabrication
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• Super Redes de Silicio Amorfo
• Synthesis and characterization of ZnO/ZnAl2O4/Zn2TiO4 composite films by Ar-O2 mixture hollow cathode glow discharge
• Synthesis of semiconductors nanocomposites of polymethyl methacrylate and reduced graphene oxide by ultraviolet radiation
• SYNTHESIS OF THIN PIEZOELECTRIC ALN FILMS IN VIEW OF SENSORS AND TELECOM APPLICATIONS
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• Síntese de compósitos contendo ferro: Caracterização e produção de filmes finos para a aplicação em fotoeletrocatálise.
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• Síntese de nanoestruturas à base de grafeno para aplicações em supercapacitores
• SÍNTESE DE NANOFITAS DE TRIÓXIDO DE MOLIBDÊNIO COM APLICAÇÃO ELETROCRÔMICA
• Síntese de Nanopartículas de ZnS:Mn por coprecipitação em meio aquoso: Efeito das variáveis de síntese na dopagem e nas propriedades ópticas
• Síntese e caracterizaçâo de filmes finos de óxido de zinco e polianilina para preparaçâo de heterojunçôes semicondutoras
• Síntese e caracterização de eletrodos de ZnO/rGO para detecção não enzimática e fotoeletrocataítica de glicose.
• Síntese e Caracterização de Filmes Finos de ITO e de Silício Poroso
• Síntese e caracterização de nanocristais de Ge por LPCVD
• Síntese e caracterização de nanoestruturas de TiO2/SiO2 e SiO2/TiO2 para aplicação em dispositivos fotoeletroquímicos
• Síntese e Caracterização de Nanofios de ZnO para Aplicações em Emissão de Campo.
• Síntese e caracterização de nanotubos e fulerenos nitrogenados gerados por arco elétrico.
• Síntese e caracterização de polímeros contendo 9,9-dioctilfluoreno e 8-oxioctilquinolina para utilização como camada emissora de PLEDs.
• Síntese e Caracterização do Eletrodo de a-Fe2O3/rGO para aplicação em fotoeletrocatálise.
• Síntese e caracterização do niobato de cobre via reação em estado-sólido: investigando suas propriedades foto(eletro)catalítica
• Síntese e caracterização filmes de grafeno por CVD e PECVD
• Síntese e Passivação de Nanofios de Óxido de Zinco
• Síntese por feixe de íons de GaN-layer sobre GaAs
• Síntese química e caracterização do poli 1,5diaminonaftaleno
• Tales Fernandes Costa
• Talita Mazon
• Talita Neme Lima Santos Lopes
• Target power influence on optical and electrical properties of amorphous titanium oxide deposited by reactive grid-assisted magnetron sputtering
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• Tatiane Cecchini
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