ESTUDO DA TRANSCONDUTÂNCIA E DA RAZÃO DA TRANSCONDUTÂNCIA SOBRE A CORRENTE DE DRENO DO SOI nMOSFET DE PORTA EM ANEL CIRCULAR UTILIZANDO TECNOLOGIA SOI CMOS DE 0.13um.
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produzido em
- https://brcris.ibict.br/individual/cour_4b1a7579-d0e4-44ba-a599-0677f21dfa8b
- ELECTRICAL ENGINEERING Programa de Pós-Graduação
tipo
- master thesis
autores
data de publicação
- 2008-01-01
prêmio patrocinado pela
- CENTRO UNIVERSITÀRIO DA FEI Organização