Investigação de parâmetros hiperfinos dos óxidos semicondutores SnO2 e TiO2 puros e dopados com metais de transição 3d pela espectroscopia de correlação angular gama-gama perturbada Documento uri icon

  •  
  • Visão geral
  •  
  • Pesquisas
  •  
  • Identidade
  •  
  • Ver todos
  •