ESTUDO DOS ESTILOS DE LEIAUTE NÃO CONVENCIONAIS PARA MOSFETs PLANARES EM ALTAS TEMPERATURAS CONSIDERANDO-SE O NÓ TECNOLÓGICO DE 180nm. Banca: Prof. Dr. Salvador Pinillos Gimenez, Prof. Dr. Rodrigo T. Doria, Prof. Dr Aparecido Nicolett, Prof. Dr. João Antonio Martino, Profa. Dra. Paula G. D. Agopian