Dispositivos Semicondutores Conceito

área de pesquisa

• "Estudo e fabricação de ISFET para aplicação em Sensor/Biossensor"
• "Projeto de aplicação de amplificadores operacionais de transcondutância baseados no comportamento experimental de line-TFETs"
• "Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício"
• (Invited) New Layout Styles to Boost the Electrical, Energy, and Frequency Response Performances of Analog MOSFETs, Considering a Wide Range of High Temperatures
• Analog Figures of Merit of Vertically Stacked Silicon Nanosheets nMOSFETs With Two Different Metal Gates for the Sub-7 nm Technology Node Operating at High Temperatures
• Analysis of Omega-Gate Nanowire SOI MOSFET Under Analog Point of View
• Analysis of the Negative-Bias-Temperature-Instability on Omega-Gate Silicon Nanowire SOI MOSFETs with Different Dimensions
• Analysis of zero-temperature coefficient behavior on vertically stacked double nanosheet nMOS devices
• Comparison of Low-Dropout Voltage Regulators Designed with Line and Nanowire Tunnel-FET Experimental Data including a Simple Process Variability Analysis
• CRESCIMENTO E CARACTERIZAÇÃO DE FILMES FINOS DE FLUORETOS II-A SOBRE SUBSTRATO DE SILÍCIO (111).
• Current mirror designed with GAA nanosheet MOSFETs from room temperature to 200 °C
• Design of operational transconductance amplifier with Gate-All-Around Nanosheet MOSFET using experimental data from room temperature to 200 °C
• Dopagem elétrica de filmes de carbeto de silício (a-SiC:H) obtidos por PECVD
• Efeitos da radiação em transistores Túnel-FETs de porta tripla.
• Enrico Davini Neto
• Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e UTBB
• ESTUDO COMPARATIVO EXPERIMENTAL ENTRE O CASAMENTO DO SOI nMOSFET DO TIPO DIAMANTE E OS SEUS RESPECTIVOS CONVENCIONAL EQUIVALENTES. Data da defesa: 29/08/13; Banca: Prof. Dr. Salvador Pinillos Gimenez (FEI), Prof. Dr. Carlos Eduardo Thomaz (FEI) e Prof. Dr. Antonio Luis Pacheco Rotondaro - CTI Renato Archer.
• Estudo da região de sublimiar de transistores SOI MOSFETs avançados
• Estudo da Resposta em Frequencia entre o MOSFET do Tipo Diamante e o Equivalente Convencional para as Tecnologias CMOS Cconvencional e SOI. Banca: Prof. Dr. Sebastião Gomes dos Santos (EPUSP), Profa. Dra. MIlene Galeti (FEI) e Prof. Dr. Salvador Pinillos Gimenez. Data: 14/02/2013.
• Estudo da viabilidade de fabricação de dispositivos semicondutores baseados em filmes de carbeto de silício crescidos por PECVD.
• Estudo das camadas transportadoras de elétrons em dispositivos poliméricos emissores de luz.
• Estudo de transistores de nanofios aplicados a circuitos analógicos básicos
• Estudo de Amplificadores Operacionais de Transcondutância projetado com FinFETs tensionados
• ESTUDO DE CÉLULAS FOTOVOLTAICAS (SOLARES) UTILIZANDO COMO ELEMENTOS CONSTRUTIVOS MOSFETS COM GEOMETRIAS DE PORTA NÃO CONVENCIONAIS (29/08/2022). Banca: Prof. Dr. Salvador Pinillos Gimenez (Centro Universitário FEI), Prof. Dr. Rodrigo Trevisoli Doria, Prof. Dr. Luciano Mendes Camillo (CEFET-RJ).
• Estudo de Transistores de Nanofolha de Silício com Porta ao Redor em Baixas Temperaturas.
• Estudo do casamento entre MOSFETs implementados com geometrias de porta não convencionais em ambientes de radiações de raios-X. Banca: Prof. Dr. Renato Giacomini, Prof. Dr. Roberto Baginski Batista Santos, Prof. Dr. Luis Eduardo Seixas, Prof. Dr. Lester de Abreu Faria, Prof. Dr. Salvador Pinillos Gimenez (Data: 02/12/2020).
• Estudo do Comportamento de Transistores MISHEMT com diferentes dielétricos de porta
• Estudo do efeito da radiação em um amplificador operacional de transcondutância implementado com SOI FinFETs.
• Estudo do efeito da região de subposição de porta no comportamento elétrico dos transistores FinFEts
• ESTUDO DO MOSFET DO TIPO OCTO EM AMBIENTES DE RADIAÇÕES IONIZANTES DE RAIOS-X
• Estudo do Ponto Invariante com a Temperatura (ZTC) em SOI FinFETs radiados e tensionados
• Estudo do transistor de efeito de campo por tunelamento (TFET) como biossensor
• ESTUDO DO USO DA GEOMETRIA DE PORTA DO TIPO MEIO-DIAMANTE DA SEGUNDA GERAÇÃO DE ESTILOS DE LEIAUTE NÃO CONVENCIONAIS PARA MOSFETS. Banca: Prof. Dr. Salvador Pinillos Gimenez (Centro Universitário FEI) , Prof. Dr. Rodrigo T. Doria (Centro Univers. FEI), Prof. Dra. Milene Galeti (Cent. Univ. FEI), Profa. Dra. Talitha N. Régis (PUC-SP), Prof. Dr. Marcelo Bariatto A. Fontes (FATEC-SP). (01/03/2023).
• ESTUDO DOS ESTILOS DE LEIAUTE NÃO CONVENCIONAIS PARA MOSFETs PLANARES EM ALTAS TEMPERATURAS CONSIDERANDO-SE O NÓ TECNOLÓGICO DE 180nm. Banca: Prof. Dr. Salvador Pinillos Gimenez, Prof. Dr. Rodrigo T. Doria, Prof. Dr Aparecido Nicolett, Prof. Dr. João Antonio Martino, Profa. Dra. Paula G. D. Agopian
• ESTUDO EXPERIMENTAL DA INFLUÊNCIA DAS RADIAÇÕES IONIZANTES DE RAIOS-X EM MOSFETS COM ESTILO DE LEIAUTE DE PORTA OCTOGONAL COM TECNOLOGIA DE FABRICAÇÃO DE CIS CMOS DE SILÍCIO-GERMÂNIO DE 130 NM
• Evaluation of Dielectrically Modulated and Fringing Field Tunneling Field Effect Transistor Biosensors Devices
• Evaluation of n-type gate-all-around vertically-stacked nanosheet FETs from 473 K down to 173 K for analog applications
• Experimental Analysis of Trade-Off Between Transistor Efficiency and Unit Gain Frequency of Nanosheet NMOSFET down to -100 oC
• Experimental silicon Tunnel-FET device model applied to design a Gm-C Filter
• Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications
• Gate dielectric material influence on DC behavior of MO(I)SHEMT devices operating up to 150 °C
• Geração opto-eletrônica, transmissão e regeneração de sinais pulsados ultrarrápidos de micro-ondas e casamento de impedância transistorizado para chaveamento eletro-óptico
• Heterojunções de oxido de indio e silicio
• Heterojunções fotovoltaicas de SnO2/Si
• Impact of Gate Current on the Operational Transconductance Amplifier Designed with Nanowire TFETs
• Influência da componente MOSFET no comportamento elétrico de transistores MI(O)SHEMT
• Influência das tensões mecânicas biaxiais na fotocorrente de heterojunções de Ge-Si.
• ISFET Fabrication and Characterization for Hydrogen Peroxide sensing
• Jefferson Suela
• JUAN CARLOS GONZÁLEZ PÉREZ
• Kenedy Antonio de Freitas
• LCE and PAMDLE Effects From Diamond Layout for MOSFETs at High-Temperature Ranges
• Leiaute Diamante para MOSFETs sob os Efeitos das Radiações Ionizantes. Banca: Prof. Dr. Renato Camargo Giacomini (FEI), Prof. Dr. Marco Antonio Assis de Melo; Prof. Dra. Carmen Cecília Bueno (IPEN); Prof. Dr. Claudio Antonio Federico (IEAV) - Data: 22/08/2017.
• Low frequency noise performance of horizontal, stacked and vertical silicon nanowire MOSFETs
• Luiz Eugenio Monteiro de Barros Jr
• Methodology to optimize and reduce the total gate area of robust operational transconductance amplifiers by using diamond layout style for MOSFETs
• MISHEMT?s multiple conduction channels influence on its DC parameters
• New Hybrid Generation of Layout Styles to Boost the Electrical, Energy, and Frequency Response Performances of Analog MOSFETs
• Operational transconductance amplifier designed with nanowire tunnel-FET with Si, SiGe and Ge sources using experimental data
• Output Conductance of Line-TFETs for Different Device Parameters and its Effect on Basic Analog Circuits
• Paula Ghedini der Agopian
• Performance Perspective of Gate-All-Around Double Nanosheet CMOS Beyond High-Speed Logic Applications
• Proposta de um transistor BE SOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte
• Reconfigurable SOI-MOSFET: Past, Present and Future Applications
• Simulação e otimização de processos de deposição de filmes finos poliméricos através de redes neurais artificiais
• Study of the UTBB BESOI Tunnel-FET working as a Dual-Technology Transistor
• The Impact of LCE and PAMDLE Regarding Different CMOS ICs Nodes and High Temperatures
• The Impact of Spacer Oxide Material on the Underlapped SOI-nFinFET Working as Charged Based Radiation Sensor
• The Second Generation of Layout Styles to Further Boosting the Electrical Performance and Reducing the Die Area of Analog MOSFETs
• Titulo: DISTORÇÃO HARMÔNICA EM MOSFETs IMPLEMENTADOS COM OS ESTILOS DE LEIAUTE DO TIPO DIAMANTE HÍBRIDO E CONVENCIONAIS, Data: 8/11/2019. Banca: Prof. Dr. Salvador Pinillos Gimenez, Profa. Dra. Michely de Souza, Prof. Dr. Renan T. Doria.
• Ulysses Rondina Duarte
• Using the Hexagonal Layout Style for MOSFETs to Boost the Device Matching in Ionizing Radiation Environments
• Using the Octagonal Layout Style for MOSFETs to Boost the Device Matching in Ionizing Radiation Environments
• Voltage gain improvement of the operational transconductance amplifier designed with silicon-on-insulator fin field effect transistor after being exposed to proton-irradiation
• ¢ Modeling of temperature dependence of the threshold current and thermal resistance of ZnSe-based Semiconductor Lasers