Estudo da Tensão de Limiar e Inclinação de Sublimiar em Transistores SOI FinFETs de Porta Dupla e Porta Tripla
Documento
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Visão geral
orientado por
produzido em
- https://brcris.ibict.br/individual/cour_c05ade5a-33cc-49b1-8d51-0abd9abcaf62
- ELECTRICAL ENGINEERING Programa de Pós-Graduação
tipo
- master thesis
autores
data de publicação
- 2007-01-01
prêmio patrocinado pela
- CENTRO UNIVERSITÀRIO DA FEI Organização
- Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros Organização