Estudo do comportamento de transistores FinFETs com subposição de porta aplicados como sensores
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Visão geral
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Dispositivos Eletrônicos
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Radiação Dosimetria
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Radiação ionizante
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Semicondutores dopados
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Tecnologia de silício sobre isolante
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Underlapped FinFet
Identidade
identificador BrCris
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108f0cf48be3cb89271097b94eca2d42
identificador Capes
identificador Oasisbr
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UNSP_8257bc973fcd2316941748c5a87b88c9