Estudo da viabilidade de fabricação de dispositivos semicondutores baseados em filmes de carbeto de silício crescidos por PECVD.
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Visão geral
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Pesquisas
áreas de investigação
palavras-chave
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PECVD
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carbeto de silício
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dispositivos eletrônicos
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dopagem
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implantação iônica
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semicondutores
Identidade
identificador BrCris
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6a68030a878350dead15b139c27d791d
identificador Capes
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2006333002010045P3-Publication
identificador Oasisbr
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USP_331643e4a21c17e2121940a6d3707892