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Desenvolvimento de Filmes Finos de Óxido de Silício Obtido A Baixas Temperaturas Pela Técnica de Pecvd
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membro de
https://brcris.ibict.br/individual/comm_ee459614-d3fc-461b-b7eb-f628e356a377
orientado por
Inés Pereyra
tipo
master thesis
autores
Marco Isaías Alayo Chavez
data de publicação
1996-01-01
Pesquisas
áreas de investigação
Materiais e Componentes Semicondutores
palavras-chave
PECVD
Óxido de Silício
Identidade
identificador BrCris
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