área de pesquisa
- CARACTERIZAÇÃO ELÉTRICA E SIMULAÇÃO DOS EFEITOS DO AUTOAQUECIMENTO EM NANOFIOS TRANSISTORES MOS SEM JUNÇÕES EM REGIME ESTACIONÁRIO E TRANSITÓRIO.
- Efeitos da Aplicação de Técnicas de Aprimoramento de Desempenho em Transistores SOI CMOS de Tecnologias Totalmente Depletadas Promissoras
- ESTUDO COMPARATIVO POR SIMULAÇÃO NUMÉRICA TRIDIMENSIONAL ENTRE FINFETS IMPLEMENTADOS COM OS ESTILOS DE LEIAUTE DO TIPO DIAMANTE, OCTO E O CONVENCIONAL EQUIVALENTE
- ESTUDO DE SOI MOSFETs COM ESTILOS DE LEIAUTE NÃO CONVENCIONAIS EM ALTAS TEMPERATURAS
- Estudo do efeito do autoaquecimento em transistores MOSFETS fabricados em estruturas FINFETS e estruturas FINFETS modificadas.
- Filipe Antoine Perondi Khatchadourian
- Implementação em FPGA de um microcontrolador 8051 a partir do código VHDL e geração automática de leiaute dos blocos ULA e RAM utilizando as ferramentas de CAD da mentor graphics
- LCE and PAMDLE Effects From Diamond Layout for MOSFETs at High-Temperature Ranges
- PESQUISA DE UM SENSOR TÁCTIL INCORPORADO A UM TECIDO APLICÁVEL À INTERNET DAS COISAS - IOT