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Estudo do efeito da região de subposição de porta no comportamento elétrico dos transistores FinFEts
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membro de
https://brcris.ibict.br/individual/comm_ee459614-d3fc-461b-b7eb-f628e356a377
orientado por
Paula Ghedini der Agopian
tipo
master thesis
autores
William da Silva Fonseca
data de publicação
2020-01-01
Pesquisas
áreas de investigação
Dispositivos Semicondutores
Microeletrônica
Nanoeletrônica
palavras-chave
Caracterização elétrica
FinFET
Simulação numérica
Identidade
identificador BrCris
24f7bedba199814ce85799a91dc87971