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Estudo da região de sublimiar de transistores SOI MOSFETs avançados
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membro de
https://brcris.ibict.br/individual/comm_ee459614-d3fc-461b-b7eb-f628e356a377
orientado por
Paula Ghedini der Agopian
tipo
master thesis
autores
Vanessa Cristina Pereira da Silva Venuto
data de publicação
2018-01-01
Pesquisas
áreas de investigação
Dispositivos Semicondutores
Microeletrônica
Nanoeletrônica
palavras-chave
Sublimiar
UTBB
Identidade
identificador BrCris
5d7b3907aebd9b52f973bda6e2cf9e70